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参数资料
| 型号： | IDT70V27S55PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 512K (32K x 16) |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V27S55PF |
IDT 70V27S/L
High-Speed 3.3V 32K x 16 Dual-Port Static RAM
Commercial and Industrial Temperature Range
Symbol
Rating
Commercial 0 C to +70 C 0V 3.3V + 0.3V
AbsoluteMaximumRatings (1)
Commercial
& Industrial
V TERM (2) Terminal Voltage -0.5 to +4.6
with Respect
to GND
Unit
V
Maximum Operating Temperature
and Supply Voltage (1)
Ambient
Grade Temperature GND V DD
O O
-40 C to +85 C
T BIAS
Temperature
Under Bias
-55 to +125
o
C
Industrial
NOTES:
O O
0V
3.3V + 0.3V
3603 tbl 06
T STG
Storage
Temperature
-65 to +150
o
C
1. This is the parameter T A . This is the "instant on" case temperature.
I OUT
NOTES:
DC Output
Current
50
mA
3603 tbl 05
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and
functional operation of the device at these or any other conditions above those
indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure
Recommended DC Operating
Conditions (1)
to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect
reliability.
2. V TERM must not exceed V DD + 0.3V for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum, and is limited to < 20mA for the period of V TERM > V DD + 0.3V.
Symbol
V DD
V SS
Parameter
Supply Voltage
Ground
Min.
3.0
0
Typ.
3.3
0
Max.
3.6
0
Unit
V
V
V IH
Input High Voltage
2.0
____
V DD +0.3V
(2)
V
V IL
Input Low Voltage
-0.3
Capacitance (1)
(T A = +25°C, f = 1.0mhz)TQFP ONLY
(1)
NOTES:
1. V IL > -1.5V for pulse width less than 10ns.
____
0.8
V
3603 tbl 07
C OUT
Symbol
C IN
(2)
Parameter
Input Capacitance
Output Capacitance
Conditions
V IN = 0V
V OUT = 0V
Max.
9
10
Unit
pF
pF
2. V TERM must not exceed V DD + 0.3V.
NOTES:
1. This parameter is determined by device characterization but is not
production tested.
2. C OUT also reference C I/O .
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V DD = 3.3V ± 0.3V)
70V27S
70V27L
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current (1)
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V DD = 3.6V, V IN = 0V to V DD
CE = V IH , V OUT = 0V to V DD
I OL = 4mA
I OH = -4mA
Min.
___
___
___
2.4
Max.
10
10
0.4
___
Min.
___
___
___
2.4
Max.
5
5
0.4
___
Unit
μA
μA
V
V
NOTE:
1. At V DD
< 2.0V, input leakages are undefined.
5
3603 tbl 09
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PDF描述 |
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| IDT7027S55PF | IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V27S55PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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| IDT70V28L15PF8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V28L15PFG | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V28L15PFG8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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