参数资料
型号: IDT70V27S55PF
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 7/21页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP
标准包装: 6
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 512K (32K x 16)
速度: 55ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 100-LQFP
供应商设备封装: 100-TQFP(14x14)
包装: 托盘
其它名称: 70V27S55PF
IDT 70V27S/L
High-Speed 3.3V 32K x 16 Dual-Port Static RAM
Commercial and Industrial Temperature Range
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (1,6) (V DD = 3.3V ± 0.3V)
70V27X35
Com'l & Ind
70V27X55
Com'l Only
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (2)
Max.
Typ. (2)
Max.
Unit
I DD
Dynamic Operating Current
(Both Ports Active)
CE = V IL , Outputs Disabled
SEM = V IH
COM'L
S
L
135
135
235
190
125
125
225
180
mA
f = f MAX (3)
IND'L
S
L
____
135
____
235
____
____
____
____
I SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL Level
Inputs)
CE L = CE R = V IH
SEM R = SEM L = V IH
f = f MAX (3)
COM'L
IND'L
S
L
S
22
22
____
45
35
____
15
15
____
40
30
____
mA
L
22
45
____
____
I SB2
I SB3
I SB4
Standby Current
(One Port - TTL Level
Inputs)
Full Standby Current (Both
Ports - All CMOS Level
Inputs)
Full Standby Current
(One Port - All CMOS
Level Inputs)
CE "A" = V IL and CE "B" = V IH (5)
Active Port Outputs Disabled,
f=f MAX (3)
SEM R = SEM L = V IH
Both Ports CE L and
CE R > V DD - 0.2V
V IN > V DD - 0.2V or
V IN < 0.2V, f = 0 (4)
SEM R = SEM L > V DD - 0.2V
CE "A" < 0.2V and
CE "B" > V DD - 0.2V (5)
SEM R = SEM L > V DD - 0.2V
V IN > V DD - 0.2V or V IN < 0.2V
Active Port Outputs Disabled
COM'L
IND'L
COM'L
IND'L
COM'L
IND'L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
85
85
____
85
1.0
0.2
____
0.2
85
85
____
85
140
125
____
140
6
3
____
6
135
120
____
135
75
75
____
____
1.0
0.2
____
____
75
75
____
____
140
125
____
____
6
3
____
____
135
120
____
____
mA
mA
mA
f = f MAX (3)
NOTES:
3603 tbl 10b
1. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
2. V DD = 3.3V, T A = +25°C, and are not production tested. I DD DC = 90mA (Typ.)
3. At f = f MAX , address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency read cycle of 1/t RC, and using “AC Test Conditions” of input
levels of GND to 3V.
4. f = 0 means no address or control lines change.
5. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
6. Refer to Chip Enable Truth Table.
AC Test Conditions
3.3V
3.3V
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
GND to 3.0V
3ns Max.
DATA OUT
590 ?
590 ?
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
1.5V
1.5V
BUSY
INT
435 ?
30pF
DATA OUT
435 ?
5pF*
Output Load
Figures 1 and 2
3603 tbl 11
Figure 1. AC Output Test Load
3603 drw 04
Figure 2. Output Test Load
(for t LZ , t HZ , t WZ , t OW )
*Including scope and jig
7
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IDT7027S55PF IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP
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