参数资料
型号: IDT70V3599S166BFG
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 10/23页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 4MBIT 166MHZ 208FPBGA
标准包装: 7
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 4.5M(128K x 36)
速度: 166MHz
接口: 并联
电源电压: 3.15 V ~ 3.45 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 208-LFBGA
供应商设备封装: 208-CABGA(15x15)
包装: 托盘
产品目录页面: 1254 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 70V3599S166BFG
800-1396
IDT70V3599/89S
High-Speed 3.3V 128/64K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM
AC Test Conditions (V DDQ - 3.3V/2.5V)
Industrial and Commercial Temperature Ranges
2.5V
Input Pulse Levels (Address & Controls)
GND to 3 . 0V/GND to 2.4V
Input Pulse Levels (I/Os)
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
GND to 3.0V/GND to 2.4V
2ns
1.5V/1.25V
DATA OUT
833 ?
Output Reference Levels
Output Load
1.5V/1.25V
Figures 1 and 2
770 ?
5pF*
5617 tbl 10
,
3.3V
590 ?
DATA OUT
50 ?
50 ?
10pF
(Tester)
1.5V/1.25
5617 drw 03
,
DATA OUT
435 ?
5pF*
Figure 1. AC Output Test load.
7
6
5
10.5pF is the I/O capacitance of this
device, and 10pF is the AC Test Load
Capacitance.
5617 drw 04
Figure 2. Output Test Load
(For t CKLZ , t CKHZ , t OLZ , and t OHZ ).
*Including scope and jig.
,
? tCD
4
(Typical, ns) 3
2
?
1
?
20.5
?
30
?
50
80
100
200
,
-1
Capacitance (pF)
5617 drw 05
Figure 3. Typical Output Derating (Lumped Capacitive Load).
10
6.42
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