参数资料
型号: IDT70V631S12PRF
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 16/23页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 4MBIT 12NS 128TQFP
标准包装: 6
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 4.5M(256K x 18)
速度: 12ns
接口: 并联
电源电压: 3.15 V ~ 3.45 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 128-LQFP
供应商设备封装: 128-TQFP(14x20)
包装: 托盘
其它名称: 70V631S12PRF
800-2315
IDT70V631S12PRF-ND
IDT70V631S
High-Speed 3.3V 256K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Waveform of BUSY Arbitration Controlled by CE Timing (M/ S = V IH ) (1)
ADDR "A"
and "B"
CE "A"
CE "B"
t APS (2)
ADDRESSES MATCH
t BAC
t BDC
BUSY "B"
5622 drw 14
Waveform of BUSY Arbitration Cycle Controlled by Address Match
Timing (M/ S = V IH ) (1)
ADDR "A"
ADDR "B"
ADDRESS "N"
t APS (2)
MATCHING ADDRESS "N"
t BAA
t BDA
BUSY "B"
5622 drw 15
NOTES:
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either the left or right port. Port “B” is the port opposite from port “A”.
2. If t APS is not satisfied, the BUSY signal will be asserted on one side or another but there is no guarantee on which side BUSY will be asserted.
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range
70V631S10
Com'l Only
70V631S12
Com'l
& Ind
70V631S15
Com'l
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
INTERRUPT TIMING
t AS
t WR
t INS
t INR
Address Set-up Time
Write Recovery Time
Interrupt Set Time
Interrupt Reset Time
0
0
____
____
____
____
10
10
0
0
____
____
____
____
12
12
0
0
____
____
____
____
15
15
ns
ns
ns
ns
5622 tbl 15
16
相关PDF资料
PDF描述
M1A3PE3000-1FGG484I IC FPGA 1KB FLASH 3M 484-FBGA
IDT70V3599S133BCI IC SRAM 4MBIT 133MHZ 256BGA
A3PE3000-1FG484I IC FPGA 1KB FLASH 3M 484-FBGA
A3PE3000-1FGG484I IC FPGA 1KB FLASH 3M 484-FBGA
EP1S20F780C6N IC STRATIX FPGA 20K LE 780-FBGA
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT70V631S12PRF8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70V631S12PRFGI 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 4.5MBIT 12NS 128TQFP
IDT70V631S12PRFI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?(单线) 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR)
IDT70V631S12PRFI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70V631S15BC 功能描述:IC SRAM 4MBIT 15NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)