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参数资料
| 型号： | IDT70V631S12PRF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 12NS 128TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 4.5M（256K x 18） |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 128-LQFP |
| 供应商设备封装： | 128-TQFP（14x20） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V631S12PRF 800-2315 IDT70V631S12PRF-ND |
IDT70V631S
High-Speed 3.3V 256K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V DD = 3.3V ± 150mV)
70V631S
Input Leakage Current
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL (3.3V)
Parameter
(1)
Output Leakage Current
Output Low Voltage (2)
Test Conditions
V DDQ = Max., V IN = 0V to V DDQ
CE 0 = V IH or CE 1 = V IL , V OUT = 0V to V DDQ
I OL = +4mA, V DDQ = Min.
Min.
___
___
___
Max.
10
10
0.4
Unit
μA
μA
V
V OH (3.3V)
Output High Voltage
(2)
I OH = -4mA, V DDQ = Min.
2.4
___
V
V OL (2.5V)
Output Low Voltage
(2)
I OL = +2mA, V DDQ = Min.
___
0.4
V
V OH (2.5V)
Output High Voltage
(2)
I OH = -2mA, V DDQ = Min.
2.0
___
V
NOTE:
1. At V DD < - 2.0V input leakages are undefined.
2. V DDQ is selectable (3.3V/2.5V) via OPT pins. Refer to p.5 for details.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (3) (V DD = 3.3V ± 150mV)
5622 tbl 09
70V631S10
Com'l Only
70V631S12
Com'l
& Ind
70V631S15
Com'l
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (4)
Max.
Typ. (4)
Max.
Typ. (4)
Max.
Unit
CE "A" = V IL and CE "B" = V IH
I DD
I SB1
I SB2
I SB3
I SB4
Dynamic Operating
Current (Both
Ports Active)
Standby Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
Standby Current
(One Port - TTL
Level Inputs)
Full Standby Current
(Both Ports - CMOS
Level Inputs)
Full Standby Current
(One Port - CMOS
Level Inputs)
CE L and CE R = V IL ,
Outputs Disabled,
f = f MAX (1)
CE L = CE R = V IH
f = f MAX (1)
(5)
Active Port Outputs Disabled,
f=f MAX (1)
Both Ports CE L and
CE R > V DDQ - 0.2V,
V IN > V DDQ - 0.2V or V IN < 0.2V,
f = 0 (2)
CE "A" < 0.2V and
CE "B" > V DDQ - 0.2V (5)
V IN > V DDQ - 0.2V or V IN < 0.2V,
COM'L
IND
COM'L
IND
COM'L
IND
COM'L
IND
COM'L
S
S
S
S
S
S
S
S
S
340
____
115
____
225
____
3
____
220
500
____
165
____
340
____
15
____
335
315
365
90
115
200
225
3
6
195
465
515
125
150
325
365
15
15
320
300
____
75
____
175
____
3
____
170
440
____
100
____
315
____
15
____
310
mA
mA
mA
mA
mA
Active Port, Outputs Disabled,
f = f MAX (1)
IND
S
____
____
220
360
____
____
NOTES:
5622 tbl 10
1. At f = f MAX , address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency read cycle of 1/t RC , using "AC TEST CONDITIONS" at input
levels of GND to 3V.
2. f = 0 means no address or control lines change. Applies only to input at CMOS level standby.
3. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
4. V DD = 3.3V, T A = 25°C for Typ, and are not production tested. I DD DC (f=0) = 120mA (Typ).
5. CE X = V IL means CE 0X = V IL and CE 1X = V IH
CE X = V IH means CE 0X = V IH or CE 1X = V IL
CE X < 0.2V means CE 0X < 0.2V and CE 1X > V DDQ - 0.2V
CE X > V DDQ - 0.2V means CE 0X > V DDQ - 0.2V or CE 1X - 0.2V
"X" represents "L" for left port or "R" for right port.
8
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