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参数资料
| 型号： | IDT70V659S10BC8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 2/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 10ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V659S10BC8 |
IDT70V659/58/57S
High-Speed 3.3V 128/64/32K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Description
Industrial and Commercial Temperature Ranges
The IDT70V659/58/57 is a high-speed 128/64/32K x 36 Asynchro-
nous Dual-Port Static RAM. The IDT70V659/58/57 is designed to be used
as a stand-alone 4/2/1Mbit Dual-Port RAM or as a combination MASTER/
SLAVE Dual-Port RAM for 72-bit-or-more word system. Using the IDT
MASTER/SLAVE Dual-Port RAM approach in 72-bit or wider memory
system applications results in full-speed, error-free operation without the
need for additional discrete logic.
This device provides two independent ports with separate control,
2
address, and I/O pins that permit independent, asynchronous access for
reads or writes to any location in memory. An automatic power down
feature controlled by the chip enables (either CE 0 or CE 1 ) permit the
on-chip circuitry of each port to enter a very low standby power mode.
The 70V659/58/57 can support an operating voltage of either 3.3V
or 2.5V on one or both ports, controlled by the OPT pins. The power supply
for the core of the device (V DD ) remains at 3.3V.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V631S10BFG8 | IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA |
| IDT70V631S10BF8 | IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA |
| IDT70V631S10BCG8 | IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA |
| IDT70V631S10BC8 | IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA |
| IDT70V3599S166BF8 | IC SRAM 4MBIT 166MHZ 208FBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V659S10BCG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V659S10BF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V659S10BF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V659S10BFG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V659S10BFG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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