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参数资料
| 型号： | IDT70V659S10BC8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 3/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 10ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V659S10BC8 |
IDT70V659/58/57S
High-Speed 3.3V 128/64/32K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Pin Configurations (3,4,5,6,7,8)
03/19/04
Industrial and Commercial Temperature Ranges
I/O 19L
I/O 19R
I/O 20L
I/O 20R
V DDQL
V SS
I/O 21L
I/O 21R
1
2
3
4
5
6
7
8
156
155
154
153
152
151
150
149
I/O 16L
I/O 16R
I/O 15L
I/O 15R
V SS
V DDQL
I/O 14L
I/O 14R
I/O 22L
I/O 22R
V DDQR
V SS
I/O 23L
I/O 23R
I/O 24L
I/O 24R
V DDQL
V SS
I/O 25L
I/O 25R
I/O 26L
I/O 26R
V DDQR
V SS
V DD
V DD
V SS
V SS
V DDQL
V SS
I/O 27R
I/O 27L
I/O 28R
I/O 28L
V DDQR
V SS
I/O 29R
I/O 29L
I/O 30R
I/O 30L
V DDQL
V SS
I/O 31R
I/O 31L
I/O 32R
I/O 32L
V DDQR
V SS
I/O 33R
I/O 33L
I/O 34R
I/O 34L
9
10
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47
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49
50
51
52
70V659/58/57DR
DR-208 (7)
208-Pin PQFP
Top View (8)
148
147
146
145
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131
130
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128
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125
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121
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119
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117
116
115
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112
111
110
109
108
107
106
105
I/O 13L
I/O 13R
V SS
V DDQR
I/O 12L
I/O 12R
I/O 11L
I/O 11R
V SS
V DDQL
I/O 10L
I/O 10R
I/O 9L
I/O 9R
V SS
V DDQR
V DD
V DD
V SS
V SS
V SS
V DDQL
I/O 8R
I/O 8L
I/O 7R
I/O 7L
V SS
V DDQR
I/O 6R
I/O 6L
I/O 5R
I/O 5L
V SS
V DDQL
I/O 4R
I/O 4L
I/O 3R
I/O 3L
V SS
V DDQR
I/O 2R
I/O 2L
I/O 1R
I/O 1L
4869 drw 02a
NOTES:
1. Pin is a NC for IDT70V658 and IDT70V657.
2. Pin is a NC for IDT70V657.
3. All V DD pins must be connected to 3.3V power supply.
4. All V DDQ pins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to V DD (3.3V) and 2.5V if OPT pin for that port is
set to V SS (0V).
5. All V SS pins must be connected to ground.
6. Package body is approximately 28mm x 28mm x 3.5mm.
7. This package code is used to reference the package diagram.
8. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IDT70V659S10BF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V659S10BFG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V659S10BFG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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