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参数资料
| 型号： | IDT70V659S10BC8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 24/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 10ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V659S10BC8 |
IDT70V659/58/57S
High-Speed 3.3V 128/64/32K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Ordering Information
Industrial and Commercial Temperature Ranges
XXXXX
Device
A
Power
999
Speed
A
Package
A
A
Process/
Type
Temperature
Range
Blank
I (1)
G (2)
BF
DR
BC
10
Commercial (0 ° C to +70 ° C)
Industrial (-40 ° C to +85 ° C)
Green
208-ball fpBGA (BF-208)
208-pin PQFP (DR-208)
256-ball BGA (BC-256)
Commercial Only
12
15
Commercial & Industrial
Commercial & Industrial
Speed in nanoseconds
S
70V659
70V658
70V657
Standard Power
4Mbit (128K x 36) 3.3V Asynchronous Dual-Port RAM
2Mbit (64K x 36) 3.3V Asynchronous Dual-Port RAM
1Mbit (32K x 36) 3.3V Asynchronous Dual-Port RAM
4869 drw 21
Notes:
1. Contact your local sales office for Industrial temp range in other speeds, packages and powers.
2. Green parts available. For specific speeds, packages and powers contact your local sales office.
Datasheet Document History:
6/2/00:
8/11/00:
6/20/01:
12/17/01:
03/19/04:
03/22/05:
07/25/08:
10/23/08:
Initial Public Offering
Page 6, 13 & 20 Inserted additional BE n information
Page 14 Increased BUSY TIMING parameters t BDA , t BAC , t BDC and t BDD for all speeds
Page 21 Changed maximum value for JTAG AC Electrical Characteristics for t JCD from 20ns to 25ns
Page 2, 3 & 4 Added date revision for pin configurations
Page 8, 10, 14 & 16 Removed I-temp 15ns speed from DC & AC Electrical Characteristics
Page 23 Removed I-temp 15ns speed from ordering information
Added I-temp footnote
Page 1 & 23 Replaced TM logo with ? logo
Consolidated multiple devices into one data sheet
Removed "Preliminary" Status
Page 1 Added green availability to features
Page 24 Added green indicator to ordering information
Page 1 & 24 Replaced old IDT TM with new IDT TM logo
Page 9 Corrected a typo in the DC Chars table
Page 24 Removed "IDT" from orderable part number
CORPORATE HEADQUARTERS
6024 Silver Creek Valley Road
San Jose, CA 95138
for SALES:
800-345-7015 or 408-284-8200
fax: 408-284-2775
for Tech Support:
408-284-2794
DualPortHelp@idt.com
www.idt.com
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
24
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V659S10BCG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V659S10BF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V659S10BF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V659S10BFG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V659S10BFG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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