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参数资料
| 型号： | IDT70V659S10BC8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 10ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V659S10BC8 |
IDT70V659/58/57S
High-Speed 3.3V 128/64/32K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Pin Configuration (3,4,5,6,7,8) (con't.)
03/19/04
Industrial and Commercial Temperature Ranges
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11
12
13 14
15
16 17
A
I/O 19L
I/O 18L
V SS
TDO
NC
A 16L(1)
A 12L
A 8L
BE 1L
V DD
SEM L
INT L
A4 L
A 0L
OPT L
I/O 17L
V SS
A
B
I/O 20R
V S S
I/O 18R
TDI
NC
A 13L
A 9L
BE 2L
CE 0L
V SS
BUSY L
A5 L
A 1L
V SS
V DDQR
I/O16L I/O 15R
B
C
V DDQL
I/O 19R
V DDQR
V DD
NC
A 14L
A 10L
BE 3L
CE 1L
V SS
R/ W L
A6 L
A 2L
V DD
I/O 16R
I/O 15L
V SS
C
D
I/O 22L
V SS
I/O 21L
I/O 20L
A 15L (2) A 11L
A 7L
BE 0L
V DD
OE L
NC
A 3 L
V DD
I/O 17R
V DDQL
I/O 14L
I/O 14R
D
E
I/O 23L
I/O 22R
V DDQR I/O 21R
I/O 12L
I/O 13R
V SS
I/O 13L
E
F
G
V DDQL
I/O 26L
I/O 23R
V SS
I/O 24L
I/O 25L
V SS
I/O 24R
V SS
I/O 9L
I/O 12R
V DDQL
I/O 11L
I/O 10L
V DDQR
I/O 11R
F
G
H
V DD
I/O 26R
V DDQR I/O 25R
70V659/58/57BF
BF-208 (7)
V DD
I/O 9R
V SS
I/O 10R
H
J
K
L
M
N
V DDQL
I/O 28R
I/O 29R
V DDQL
I/O 31L
V DD
V SS
I/O 28L
I/O 29L
V S S
V SS
I/O 2 7R
V DDQR
I/O 30R
I/O 31R
V SS
V S S
I/O 27L
V SS
I/O 30L
208-Ball BGA
Top View (8)
V S S
I/O 7R
I/O 6R
V SS
I/O 3R
V DD
V DDQL
I/O 7L
I/O 6L
V D DQL
V SS
I/O8R
V SS
I/O 5R
I/O 4R
V DDQR
V SS
I/O 8L
V DDQR
I/O 5L
J
K
L
M
N
P
I/O 32R
I/O 32L
V DDQR I/O 35R
TRST
A 16R (1 )
A 12R
A 8R
BE 1R
V DD
SEM R
INT R
A 4R
I/O 2L
I/O 3L
V SS
I/O 4L
P
R
T
V SS
I/O 33R
I/O 33L
I/O 34L
I/O 34 R
V DDQL
TCK
TMS
NC
NC
A 13R
A 14R
A 9R
A 10R
BE 2R
BE 3R
CE 0 R
CE 1R
V S S
V SS
BUSY R
R/ W R
A 5R
A 6R
A 1R
A 2R
V SS
V S S
V DDQL
I/O 0R
I/O 1R
V S S
V DDQR
I/O 2R
R
T
U
V S S
I/O 35L
V DD
NC
A 15R (2) A 11R
A 7R
BE 0R
V DD
OE R
M/ S
A 3R
A 0R
V DD
OPT R
I/O 0L
I/O 1L
U
4869 drw 02b
NOTES:
1. Pin is a NC for IDT70V658 and IDT70V657.
2. Pin is a NC for IDT70V657.
3. All V DD pins must be connected to 3.3V power supply.
4. All V DDQ pins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to V DD (3.3V) and 2.5V if OPT pin for that port is
set to V SS (0V).
5. All V SS pins must be connected to ground.
6. Package body is approximately 15mm x 15mm x 1.4mm with 0.8mm ball pitch.
7. This package code is used to reference the package diagram.
8. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
5
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参数描述 |
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| IDT70V659S10BF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V659S10BF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V659S10BFG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V659S10BFG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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