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参数资料
| 型号： | IDT70V659S12DRI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 10/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 12NS 208QFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 208-BFQFP |
| 供应商设备封装： | 208-PQFP（28x28） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V659S12DRI |
IDT70V659/58/57S
High-Speed 3.3V 128/64/32K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
AC Test Conditions (V DDQ - 3.3V/2.5V)
Industrial and Commercial Temperature Ranges
2.5V
Input Pulse Levels
GND to 3.0V / GND to 2.5V
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
2ns Max.
1.5V/1.25V
1.5V/1.25V
DATA OUT
833 ?
Output Load
Figures 1 and 2
4869 tbl 11
770 ?
5pF*
,
3.3V
590 ?
DATA OUT
50 ?
50 ?
10pF
(Tester)
1.5V/1.25
4869 drw 03
,
DATA OUT
435 ?
5pF*
Figure 1. AC Output Test load.
7
6
5
10.5pF is the I/O capacitance of this
device, and 10pF is the AC Test Load
Capacitance.
4869 drw 04
Figure 2. Output Test Load
(For t CKLZ , t CKHZ , t OLZ , and t OHZ ).
*Including scope and jig.
,
? tAA
4
(Typical, ns) 3
2
1
20.5
30
50
80
100
200
,
-1
Figure 3. Typical Output Derating (Lumped Capacitive Load).
Capacitance (pF)
4869 drw 05
10
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PDF描述 |
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