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参数资料
| 型号： | IDT70V659S12DRI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 11/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 12NS 208QFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 208-BFQFP |
| 供应商设备封装： | 208-PQFP（28x28） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V659S12DRI |
IDT70V659/58/57S
High-Speed 3.3V 128/64/32K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range (5)
70V659/58/57S10
Com'l Only
70V659/58/57S12
Com'l
& Ind
70V659/58/57S15
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t RC
t AA
Read Cycle Time
Address Access Time
10
____
____
10
12
____
____
12
15
____
____
15
ns
ns
t ACE
t ABE
Chip Enable Access Time
Byte Enable Access Time
(3)
(3)
____
____
10
5
____
____
12
6
____
____
15
7
ns
ns
t AOE
t OH
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
____
3
5
____
____
3
6
____
____
3
7
____
ns
ns
t LZ
Output Low-Z Time
(1,2)
0
____
0
____
0
____
ns
t HZ
Output High-Z Time
(1,2)
0
4
0
6
0
8
ns
t PU
t PD
t SOP
t SAA
Chip Enable to Power Up Time (2)
Chip Disable to Power Down Time (2)
Semaphore Flag Update Pulse ( OE or SEM )
Semaphore Address Access Time
0
____
____
3
____
10
4
10
0
____
____
3
____
10
6
12
0
____
____
3
____
15
8
20
ns
ns
ns
ns
4869 tbl 12
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage (5)
70V659/58/57S10
Com'l Only
70V659/58/57S12
Com'l
& Ind
70V659/58/57S15
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
WRITE CYCLE
t WC
Write Cycle Time
10
____
12
____
15
____
ns
t EW
Chip Enable to End-of-Write
(3)
8
____
10
____
12
____
ns
t AW
Address Valid to End-of-Write
8
____
10
____
12
____
ns
t AS
Address Set-up Time
(3)
0
____
0
____
0
____
ns
t WP
t WR
t DW
Write Pulse Width
Write Recovery Time
Data Valid to End-of-Write
8
0
6
____
____
____
10
0
8
____
____
____
12
0
10
____
____
____
ns
ns
ns
t DH
Data Hold Time
(4)
0
____
0
____
0
____
ns
Write Enable to Output in High-Z
t WZ
(1,2)
____
4
____
4
____
4
ns
t OW
t SWRD
t SPS
Output Active from End-of-Write
SEM Flag Write to Read Time
SEM Flag Contention Window
(1,2,4)
0
5
5
____
____
____
0
5
5
____
____
____
0
5
5
____
____
____
ns
ns
ns
4869 tbl 13
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranted by device characterization, but is not production tested.
3. To access RAM, CE = V IL and SEM = V IH . To access semaphore, CE = V IH and SEM = V IL . Either condition must be valid for the entire t EW time.
4. The specification for t DH must be met by the device supplying write data to the RAM under all operating conditions. Although t DH and t OW values will vary over voltage
and temperature, the actual t DH will always be smaller than the actual t OW .
5. These values are valid regardless of the power supply level selected for I/O and control signals (3.3V/2.5V). See page 6 for details.
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