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参数资料
| 型号： | IDT70V7319S166DDI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 13/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 166MHZ 144TQFP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 4.5M（256K x 18） |
| 速度： | 166MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 144-LQFP 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 144-TQFP（20x20） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V7319S166DDI |
IDT70V7319S
High-Speed 256K x 18 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Port A Write to Pipelined Port B Read (1,2,4)
CLK "A"
R/ W "A"
t SW
t SA
t HW
t HA
BANK ADDRESS
AND ADDRESS "A"
An
t SD
t HD
DATA IN"A"
Dn
t CO (3)
CLK "B"
t CD2
R/ W "B"
t SW
t SA
t HW
t HA
BANK ADDRESS
AND ADDRESS "B"
DATA OUT"B"
An
Dn
t DC
NOTES:
5629 drw 10
1. CE 0 , BE n, and ADS = V IL ; CE 1 , CNTEN , and REPEAT = V IH .
2. OE = V IL for the Right Port, which is being read from. OE = V IH for the Left Port, which is being written to.
3. If t CO < minimum specified, then operations from both ports are INVALID. If t CO ≥ minimum, then data from Port "B" read is available on first Port "B" clock cycle
(ie, time from write to valid read on opposite port will be t CO + t CYC2 + t CD2 ).
4. All timing is the same for both left and right ports. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite of Port "A".
Timing Waveform with Port-to-Port Flow-Through Read (1,2,4)
CLK "A"
t SW t HW
R/ W "A"
t SA
t HA
BANK ADDRESS
AND ADDRESS "A"
An
t SD
t HD
DATA IN "A"
Dn
t CO (3)
CLK "B"
t CD1
R/ W "B"
BANK ADDRESS
AND ADDRESS "B"
t SW
t SA
An
t HW
t HA
DATA OUT "B"
t DC
Dn
t DC
5622 drw 11
NOTES:
1. CE 0 , BE n, and ADS = V IL ; CE 1 , CNTEN , and REPEAT = V IH .
2. OE = V IL for the Right Port, which is being read from. OE = V IH for the Left Port, which is being written to.
3. If t CO < minimum specified, then operations from both ports are INVALID. If t CO ≥ minimum, then data from Port "B" read is available on first Port "B" clock cycle
(i.e., time from write to valid read on opposite port will be t CO + t CD1 ).
4. All timing is the same for both left and right ports. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite of Port "A".
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V7319S166DD | IC SRAM 4MBIT 166MHZ 144TQFP |
| RAC15-0515TB-E | CONV AC/DC 2A 6.5-18VIN 3.0-5.5V |
| RBB35DHBR | CONN EDGECARD 70POS R/A .050 DIP |
| SBL830 | DIODE SCHOTTKY 8A 30V TO220-2 |
| IDT70V7319S133DDI | IC SRAM 4MBIT 133MHZ 144TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V7319S200BC | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V7319S200BC8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V7339S133BC | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V7339S133BC8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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