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参数资料
| 型号： | IDT70V7319S166DDI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 166MHZ 144TQFP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 4.5M（256K x 18） |
| 速度： | 166MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 144-LQFP 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 144-TQFP（20x20） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V7319S166DDI |
IDT70V7319S
High-Speed 256K x 18 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (5) (V DD = 3.3V ± 150mV)
70V7319S200 (7)
Com'l Only
70V7319S166 (6)
Com'l
& Ind
70V7319S133
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (4)
Max.
Typ. (4)
Max.
Typ. (4)
Max.
Unit
I DD
Dynamic Operating
CE L and CE R = V IL ,
COM'L
S
815
950
675
790
550
645
mA
Current (Both
Outputs Disabled,
Ports Active)
f = f MAX (1)
IND
S
____
____
675
830
550
675
I SB1
Standby Current
CE L = CE R = V IH
COM'L
S
340
410
275
340
250
295
mA
(Both Ports - TTL
f = f MAX (1)
Level Inputs)
IND
S
____
____
275
355
250
310
I SB2
Standby Current
CE "A" = V IL and CE "B" = V IH (3)
COM'L
S
690
770
515
640
460
520
mA
(One Port - TTL
Active Port Outputs Disabled,
Level Inputs)
f=f MAX (1)
IND
S
____
____
515
660
460
545
I SB3
Full Standby Current
Both Ports CE L and CE R > V DDQ - 0.2V,
COM'L
S
10
30
10
30
10
30
mA
(Both Ports - CMOS
V IN > V DDQ - 0.2V or V IN < 0.2V,
Level Inputs)
f = 0 (2)
IND
S
____
____
10
40
10
40
I SB4
Full Standby Current
(One Port - CMOS
CE "A" < 0.2V and CE "B" > V DDQ - 0.2V
V IN > V DDQ - 0.2V or V IN < 0.2V,
(5)
COM'L
S
690
770
515
640
460
520
mA
Level Inputs)
Active Port, Outputs Disabled,
f = f MAX (1)
IND
S
____
____
515
660
460
545
5629 tbl 09
NOTES:
1. At f = f MAX , address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency clock cycle of 1/t CYC , using "AC TEST CONDITIONS" at input
levels of GND to 3V.
2. f = 0 means no address, clock, or control lines change. Applies only to input at CMOS level standby.
3. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
4. V DD = 3.3V, T A = 25°C for Typ, and are not production tested. I DD DC (f=0) = 120mA (Typ).
5. CE X = V IL means CE 0X = V IL and CE 1X = V IH
CE X = V IH means CE 0X = V IH or CE 1X = V IL
CE X < 0.2V means CE 0X < 0.2V and CE 1X > V DDQ - 0.2V
CE X > V DDQ - 0.2V means CE 0X > V DDQ - 0.2V or CE 1X < 0.2V
"X" represents "L" for left port or "R" for right port.
6. 166MHz Industrial Temperature not available in BF-208 package.
7. This speed grade available when V DDQ = 3.3.V for a specific port (i.e., OPTx = V IH ). This speed grade available in BC-256 package only.
8
6.42
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PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V7319S166DD | IC SRAM 4MBIT 166MHZ 144TQFP |
| RAC15-0515TB-E | CONV AC/DC 2A 6.5-18VIN 3.0-5.5V |
| RBB35DHBR | CONN EDGECARD 70POS R/A .050 DIP |
| SBL830 | DIODE SCHOTTKY 8A 30V TO220-2 |
| IDT70V7319S133DDI | IC SRAM 4MBIT 133MHZ 144TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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