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参数资料
| 型号： | IDT70V7319S166DDI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 166MHZ 144TQFP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 4.5M（256K x 18） |
| 速度： | 166MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 144-LQFP 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 144-TQFP（20x20） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V7319S166DDI |
IDT70V7319S
High-Speed 256K x 18 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM
Capacitance (1)
(T A = +25°C, F = 1.0MH Z ) PQFP ONLY
Industrial and Commercial Temperature Ranges
C OUT
Symbol
C IN
(3)
Parameter
Input Capacitance
Output Capacitance
Conditions (2)
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
Max.
8
10.5
Unit
pF
pF
5629 tbl 07
NOTES:
1. These parameters are determined by device characterization, but are not
production tested.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output switch
from 0V to 3V or from 3V to 0V.
3. C OUT also references C I/O .
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V DD = 3.3V ± 150mV)
70V7319S
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL (3.3V)
V OH (3.3V)
Parameter
(1)
(1)
Output Low Voltage (2)
Output High Voltage (2)
Test Conditions
V DDQ = Max., V IN = 0V to V DDQ
CE 0 = V IH or CE 1 = V IL , V OUT = 0V to V DDQ
I OL = +4mA, V DDQ = Min.
I OH = -4mA, V DDQ = Min.
Min.
___
___
___
2.4
Max.
10
10
0.4
___
Unit
μA
μA
V
V
V OL (2.5V)
Output Low Voltage
(2)
I OL = +2mA, V DDQ = Min.
___
0.4
V
V OH (2.5V)
Output High Voltage
(2)
I OH = -2mA, V DDQ = Min.
2.0
___
V
NOTES:
1. At V DD < 2.0V leakages are undefined.
2. V DDQ is selectable (3.3V/2.5V) via OPT pins. Refer to page 4 for details.
7
6.42
5629 tbl 08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V7319S166DD | IC SRAM 4MBIT 166MHZ 144TQFP |
| RAC15-0515TB-E | CONV AC/DC 2A 6.5-18VIN 3.0-5.5V |
| RBB35DHBR | CONN EDGECARD 70POS R/A .050 DIP |
| SBL830 | DIODE SCHOTTKY 8A 30V TO220-2 |
| IDT70V7319S133DDI | IC SRAM 4MBIT 133MHZ 144TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V7319S200BC | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V7319S200BC8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V7339S133BC | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V7339S133BC8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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