- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录329 > IDT70V9199L9PFI (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 1.125MBIT 9NS 100TQFP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70V9199L9PFI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 10/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1.125MBIT 9NS 100TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 1.125M（128K x 9） |
| 速度： | 9ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V9199L9PFI |
IDT70V9199/099L
High-Speed 3.3V 128K x9/x8 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of a Bank Select Pipelined Read (1,2)
t CYC2
CLK
t CH2
t CL2
t SA
t HA
ADDRESS (B1)
A 0
A 1
A 2
A 3
A 4
A 5
A 6
t SC
t HC
CE 0(B1)
t SC
t HC
DATA OUT(B1)
t CD2
Q 0
t CD2
Q 1
t CKHZ (3)
t CD2
Q 3
t DC
t DC
t CKLZ
(3)
t CKHZ (3)
t SA
t HA
ADDRESS (B2)
A 0
A 1
A 2
A 3
A 4
A 5
A 6
t SC t HC
CE 0(B2)
t SC
t HC
t CD2
t CKHZ
(3)
t CD2
DATA OUT(B2)
t CKLZ (3)
Q 2
t CKLZ (3)
Q 4
4859 drw 08
Timing Waveform with Port-to-Port Flow-Through Read (4,5,7)
CLK "A"
t SW t HW
R/ W "A"
t SA
t HA
ADDRESS "A"
DATA IN "A"
MATCH
t SD
t HD
VALID
t CCS
(6)
NO
MATCH
CLK "B"
t CD1
R/ W "B"
t SW
t SA
t HW
t HA
ADDRESS "B"
MATCH
NO
MATCH
NOTES:
DATA OUT "B"
t DC
t CWDD
(6)
VALID
t CD1
t DC
VALID
4859 drw 09
1. B1 Represents Bank #1; B2 Represents Bank #2. Each Bank consists of one IDT70V9199/099 for this waveform, and are setup for depth expansion in this
example. ADDRESS (B1) = ADDRESS (B2) in this situation.
2. OE and ADS = V IL ; CE 1(B1) , CE 1(B2) , R/ W and CNTRST = V IH .
3. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
4. CE 0 and ADS = V IL ; CE 1 and CNTRST = V IH .
5. OE = V IL for the Right Port, which is being read from. OE = V IH for the Left Port, which is being written to.
6. If t CCS < maximum specified, then data from right port READ is not valid until the maximum specified for t CWDD .
If t CCS > maximum specified, then data from right port READ is not valid until t CCS + t CD1 . t CWDD does not apply in this case.
7. All timing is the same for both Left and Right ports. Port "A" may be either Left or Right port. Port "B" is the opposite from Port "A".
10
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V9279L7PRFI | IC SRAM 512KBIT 7NS 128TQFP |
| IDT70V9359L7BFI | IC SRAM 144KBIT 7NS 100FBGA |
| IDT70V9369L7PFI | IC SRAM 288KBIT 7NS 100TQFP |
| IDT70V9389L6PRF | IC SRAM 1.125MBIT 6NS 128TQFP |
| IDT71016S20YGI | IC SRAM 1MBIT 20NS 44SOJ |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V9199L9PFI8 | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V9269L12PRF | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V9269L12PRF8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70V9269L12PRFGI | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 128TQFP |
| IDT70V9269L12PRFGI8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 128TQFP |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。