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参数资料
型号： IDT71256L35PI
厂商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分类： SRAM
英文描述： 32K X 8 STANDARD SRAM, 35 ns, PDIP28
封装： 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
文件页数： 3/10页
文件大小： 108K
代理商： IDT71256L35PI
2
IDT71256S/L
CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit)
Military, Commercial, and Industrial Temperature Ranges
NO
T RECOMMENDED
FOR
NEW
DESIGNS
Absolute Maximum Ratings(1)
Pin Configurations
DIP/SOJ
Top View
Truth Table(1)
32-Pin LCC
Top View
2946 drw 02
5
6
7
8
9
10
11
12
GND
1
2
3
4
24
23
22
21
20
19
18
17
D28-3
P28-1
D28-1
SO28-5
13
14
28
27
26
25
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VCC
A14
WE
A13
A8
A10
A11
OE
A12
CS
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
A9
16
15
5
6
7
8
9
L32-1
20
19
18
17
10
11
12
13
1
V
16
15
2946 drw 03
14
4
A
3
A
1
,
1
INDEX
2
21
22
23
24
25
26
27
28
29
32 31 30
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
I/O0
A8
A9
A11
NC
OE
A10
CS
I/O7
I/O8
A
7
A
12
A
14
N
C
V
C
W
E
A
13
I/
O
1
I/
O
2
G
N
D
N
C
I/
O
3
I/
O
4
I/
O
5
,
Pin Descriptions
Name
Description
A0 - A14
Address Inputs
I/O0 - I/O7
Data Input/Output
CS
Chip Select
WE
Write Enable
OE
Output Enable
GND
Ground
VCC
Power
2946 tbl 01
Capacitance (TA = +25°C, f = 1.0MHz)
NOTE:
1. This parameter is determined by device characterization, but is not production
tested.
NOTE:
1. H = VIH, L = VIL, X = Don't care.
WE
CS
OE
I/O
Function
XH
X
High-Z
Standby (ISB)
XVHC
XHigh-Z
Standby (ISB1)
H
L
H
High-Z
Output Disabled
HL
L
DOUT
Read Data
LL
X
DIN
Write Data
2946 tbl 02
NOTE:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and
functional operation of the device at these or any other conditions above those
indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure
to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect
reliability.
Symbol
Rating
Com'l.
Ind.
Mil.
Unit
VTERM
Terminal Voltage
with Respect
to GND
-0.5 to +7.0 -0.5 to +7.0 -0.5 to +7.0
V
TA
Operating
Temperature
0 to +70
-40 to +85
-55 to +125
oC
TBIAS
Temperature
Under Bias
-55 to +125 -55 to +125 -65 to +135
oC
TSTG
Storage
Temperature
-55 to +125 -55 to +125 -65 to +150
oC
PT
Power
Dissipation
1.0
W
IOUT
DC Output Current
50
mA
2946 tbl 03
Symbol
Parameter
(1)
Conditions
Max.
Unit
CIN
Input Capacitance
VIN = 0V
11
pF
CI/O
I/O Capacitance
VOUT = 0V
11
pF
2946 tbl 04
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