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参数资料
| 型号： | IDT71256L35PI |
| 厂商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 32K X 8 STANDARD SRAM, 35 ns, PDIP28 |
| 封装： | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 108K |
| 代理商： | IDT71256L35PI |
4
IDT71256S/L
CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit)
Military, Commercial, and Industrial Temperature Ranges
NO
T RECOMMENDED
FOR
NEW
DESIGNS
AC Test Conditions
*Includes scope and jig capacitances
Figure 2. AC Test Load
(for tCLZ, tOLZ, tCHZ, tOHZ, tOW, and tWHZ)
Figure 1. AC Test Load
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
AC Test Load
GND to 3.0V
5ns
1.5V
See Figures 1 and 2
2946 tbl 09
2946 drw 04
480
255
30pF*
DATA OUT
5V
,
2946 drw 05
480
255
5pF*
DATA OUT
5V
,
DC Electrical Characteristics (VCC = 5.0V ± 10%)
Data Retention Characteristics Over All Temperature Ranges
(L Version Only) (VLC = 0.2V, VHC = VCC - 0.2V)
NOTES:
1. TA = +25°C.
2. tRC = Read Cycle Time.
3. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
Symbol
Parameter
Test Conditions
IDT71256S
IDT71256L
Unit
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
|ILI|
Input Leakage Current
VCC = Max.,
VIN = GND to VCC
MIL.
COM"L & IND.
____
10
5
____
5
2
A
|ILO|
Output Leakage Current
VCC = Max.,
CS = VIH,
VOUT = GND to VCC
MIL.
COM"L & IND.
____
10
5
____
5
2
A
VOL
Output Low Voltage
IOL = 8mA, VCC = Min.
____
0.4
____
0.4
V
IOL = 10mA, VCC = Min.
____
0.5
____
0.5
VOH
Output High Voltage
IOH = -4mA, VCC = Min.
2.4
____
2.4
____
V
2946 tbl 10
Typ.(1)
VCC @
Max.
VCC @
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
2.0V
3.0V
2.0V
3.0V
Unit
VDR
VCC for Data Retention
____
2.0
____
V
ICCDR
Data Retention Current
MIL.
COM'L. & IND.
____
500
120
800
200
A
tCDR
Chip Deselect to Data
Retention Time
CS > VHC
0
____
ns
tR
(3)
Operation Recovery Time
tRC
(2)
____
ns
2946 tbl 11
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