- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录299200 > IDT71256L35PI (INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC) 32K X 8 STANDARD SRAM, 35 ns, PDIP28 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71256L35PI |
| 厂商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 32K X 8 STANDARD SRAM, 35 ns, PDIP28 |
| 封装： | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 108K |
| 代理商： | IDT71256L35PI |
6
IDT71256S/L
CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit)
Military, Commercial, and Industrial Temperature Ranges
NO
T RECOMMENDED
FOR
NEW
DESIGNS
AC Electrical Characteristics (VCC = 5.0V ± 10%, Military Temperature Ranges)
NOTES:
1. -55° to +125°C temperature range only.
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
Symbol
Parameter
71256S55(1)
71256L55
(1)
71256S70(1)
71256L70
(1)
71256S85(1)
71256L85
(1)
71256S100(1)
71256L100
(1)
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Read Cycle
tRC
Read Cycle Time
55
____
70
____
85
____
100
____
ns
tAA
Address Access Time
____
55
____
70
____
85
____
100
ns
tACS
Chip Select Access Time
____
55
____
70
____
85
____
100
ns
tCLZ(2)
Chip Select to Output in Low-Z
5
____
5
____
5
____
5
____
ns
tCHZ
(2)
Chip Desele ct to Output in High-Z
____
25
____
30
____
35
____
40
ns
tOE
Output Enable to Output Valid
____
25
____
30
____
35
____
40
ns
tOLZ(2)
Output Enab le to Output in Low-Z
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
tOHZ(2)
Output Disab le to Output in High-Z
0
25
0
30
____
35
____
40
ns
tOH
Output Hold from Address Change
5
____
5
____
5
____
5
____
ns
Write Cycle
tWC
Write Cycle Time
55
____
70
____
85
____
100
____
ns
tCW
Chip Select to End-of-Write
50
____
60
____
70
____
80
____
ns
tAW
Address Valid to End-of-Write
50
____
60
____
70
____
80
____
ns
tAS
Address Set-up Time
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
tWP
Write Pulse Width
40
____
45
____
50
____
55
____
ns
tWR
Write Recovery Time
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
tDW
Data to Write Time Overlap
25
____
30
____
35
____
40
____
ns
tWHZ(2)
Write Enab le to Output in High-Z
____
25
____
30
____
35
____
40
ns
tDH
Data Hold from Write Time (
WE)0
____
0
____
0
____
0
____
ns
tOW(2)
Output Active from End-of-Write
5
____
5
____
5
____
5
____
ns
2946 tbl 13
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7140SA25PFG | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| 7140LA25PFG | 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP64 |
| 7140LA55CGI | 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, CDIP48 |
| 7140SA25PFGI | 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP64 |
| 7140LA25JGI | 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQCC52 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71256L35TDB | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述: 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 28CDIP |
| IDT71256L35Y | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 28SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| IDT71256L35Y/2996 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 28SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71256L35Y8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 28SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| IDT71256L35YG | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 28SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。