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参数资料
| 型号： | IDT7140SA35JG |
| 厂商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| 中文描述： | 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQCC52 |
| 封装： | 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-52 |
| 文件页数： | 16/19页 |
| 文件大小： | 149K |
| 代理商： | IDT7140SA35JG |
IDT7130SA/LA and IDT7140SA/LA
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static SRAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
6
Data Retention Waveform
VCC
CE
4.5V
DATA RETENTION MODE
tCDR
tR
VIH
VDR
VDR 2.0V
2692 drw 06
≥
,
Data Retention Characteristics (LA Version Only)
NOTES:
1. VCC = 2V, TA = +25°C, and is not production tested.
2. tRC = Read Cycle Time
3. This parameter is guaranteed but not production tested.
7130LA/7140LA
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.(1)
Max.
Unit
VDR
VCC for Data Retention
2.0
___
V
ICCDR
Data Retention Current
VCC = 2.0V,
CE > VCC -0.2V
MIL. & IND.
___
100
4000
A
COM'L.
___
100
1500
tCDR(3)
Chip Deselect to Data Retention Time
VIN > VCC -0.2V or VIN < 0.2V
0
___
ns
tR
(3)
Operation Recovery Time
tRC
(2)
___
ns
2689 tbl 07
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IDT7140SA35JI8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT7140SA35L48B | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 48LCC |
| IDT7140SA35P | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 48DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT7140SA35PF | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
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