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参数资料
| 型号： | IDT7140SA35JG |
| 厂商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| 中文描述： | 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQCC52 |
| 封装： | 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-52 |
| 文件页数： | 5/19页 |
| 文件大小： | 149K |
| 代理商： | IDT7140SA35JG |
13
IDT7130SA/LA and IDT7140SA/LA
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static SRAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Write with Port-to-Port Read and BUSY(2,3,4)
NOTES:
1. To ensure that the earlier of the two ports wins. tBDD is ignored for slave (IDT7140).
2.
CEL = CER = VIL
3.
OE = VIL for the reading port.
4. All timing is the same for the left and right ports. Port 'A' may be either the left or right port. Port "B" is opposite from port "A".
Timing Waveform of Write with BUSY(3)
NOTES:
1. tWH must be met for both BUSY Input (IDT7140, slave) or Output (IDT7130 master).
2.
BUSY is asserted on port "B" blocking R/W"B", until BUSY"B" goes HIGH.
3. All timing is the same for the left and right ports. Port "A" may be either the left or right port. Port "B" is oppsite from port "A".
BUSY"B"
2689 drw 13
R/
W"A"
tWP
tWH
tWB
R/
W"B"
(2)
(1)
,
tWC
tWP
tDW
tDH
tBDD
tDDD
tBDA
tWDD
ADDR"B"
DATAOUT"B"
DATAIN"A"
ADDR"A"
MATCH
VALID
MATCH
VALID
R/
W"A"
BUSY"B"
tAPS
(1)
2689 drw 12
tBAA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IDT7140SA35L48B | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 48LCC |
| IDT7140SA35P | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 48DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT7140SA35PF | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
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