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参数资料
| 型号： | IDT71T75602S133PFI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 13/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 18MBIT 133MHZ 100TQFP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 18M（512K x 36） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.375 V ~ 2.625 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71T75602S133PFI8 |
IDT71T75602, IDT71T75802, 512K x 36, 1M x 18, 2.5V Synchronous ZBT? SRAMs with
2.5V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V DD = 2.5V±5%)
Symbol
|I LI |
Parameter
Input Leakage Current
Test Conditions
V DD = Max., V IN = 0V to V DD
Min.
___
Max.
5
Unit
μA
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
LBO , JTAG and ZZ Input Leakage Current
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
(1)
V DD = Max., V IN = 0V to V DD
V OUT = 0V to V DDQ , Device Deselected
I OL = +6mA, V DD = Min.
I OH = -6mA, V DD = Min.
___
___
___
2.0
30
5
0.4
___
μA
μA
V
V
NOTE:
5313 tbl 21
1. The LBO, TMS, TDI, TCK and TRST pins will be internally pulled to V DD , and the ZZ pin will be internally pulled to V SS if they are not actively driven in the application.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (1) (V DD = 2.5V±5%)
Symbol
Parameter
Test Conditions
200MHz
Com'l Ind
166MHz
Com'l Ind
150MHz
Com'l Ind
133MHz
Com'l Ind
100MHz
Com'l Ind
Unit
I DD
I SB1
I SB2
I SB3
I ZZ
Operating Power
Supply Current
CMOS Standby Power
Supply Current
Clock Running Power
Supply Current
Idle Power
Supply Current
Full Sleep Mode
Supply Current
Device Selected, Outputs Open,
ADV/ LD = X, V DD = Max.,
V IN > V IH or < V IL , f = f MAX (2)
Device Deselected, Outputs Open,
V DD = Max., V IN > V HD or < V LD ,
f = 0 (2,3)
Device Deselected, Outputs Open,
V DD = Max., V IN > V HD or < V LD ,
f = f MAX (2.3)
Device Selected, Outputs Open,
CEN > V IH , V DD = Max.,
V IN > V HD or < V LD , f = f MAX (2,3)
Device Selected, Outputs Open,
CEN < V IH , V DD = Max.,
V IN > V HD or < V LD , f = f MAX (2,3) ,ZZ > V HD
275
40
80
60
40
295
60
100
80
60
245
40
70
60
40
265
60
90
80
60
215
40
60
60
40
235
60
80
80
60
195
40
50
60
40
215
60
70
80
60
175
40
45
60
40
195
60
65
80
60
mA
mA
mA
mA
mA
NOTES:
1. All values are maximum guaranteed values.
2. At f = f MAX, inputs are cycling at the maximum frequency of read cycles of 1/t CYC ; f=0 means no input lines are changing.
3. For I/Os V HD = V DDQ – 0.2V, V LD = 0.2V. For other inputs V HD = V DD – 0.2V, V LD = 0.2V.
5313 tbl 22
AC Test Load
V DDQ /2
50 Ω
AC Test Conditions
I/O
Z 0 = 50 Ω
5313 drw 04
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
0 to 2.5V
2ns
6
Figure 1. AC Test Load
Input Timing Reference Levels
Output Timing Reference Levels
(V DDQ /2)
(V DDQ /2)
5
4
?
AC Test Load
See Figure 1
5313 tbl 23
Δ t CD 3
(Ty pi cal , ns )
2
1
?
?
? ?
20 30 50
80 100
Capaci t ance (pF )
200
5313 dr 05
Figure 2. Lumped Capacitive Load, Typical Derating
13
6.42
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| IDT71T75602S133PFI | IC SRAM 18MBIT 133MHZ 100TQFP |
| RGZ-0515D | CONV DC/DC 2W 05VIN +/-15VOUT |
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