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参数资料
| 型号： | IDT71T75602S133PFI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 18MBIT 133MHZ 100TQFP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 18M（512K x 36） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.375 V ~ 2.625 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71T75602S133PFI8 |
IDT71T75602, IDT71T75802, 512K x 36, 1M x 18, 2.5V Synchronous ZBT? SRAMs with
2.5V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Interleaved Burst Sequence Table ( LBO =V DD )
Sequence 1
Sequence 2
Sequence 3
Sequence 4
A1
A0
A1
A0
A1
A0
A1
A0
First Address
Second Address
Third Address
0
0
1
0
1
0
0
0
1
1
0
1
1
1
0
0
1
0
1
1
0
1
0
1
Fourth Address
(1)
1
1
1
0
0
1
0
0
NOTE:
1. Upon completion of the Burst sequence the counter wraps around to its initial state and continues counting.
Linear Burst Sequence Table ( LBO =V SS )
5313 tbl 10
Sequence 1
Sequence 2
Sequence 3
Sequence 4
A1
A0
A1
A0
A1
A0
A1
A0
First Address
Second Address
Third Address
Fourth Address (1)
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
1
0
1
0
1
0
1
1
0
0
0
1
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
NOTE:
1. Upon completion of the Burst sequence the counter wraps around to its initial state and continues counting.
Functional Timing Diagram (1)
5313 tbl 11
CYCLE
n+29
n+30
n+31
n+32
n+33
n+34
n+35
n+36
n+37
CLOCK
(2)
ADDRESS
A29
A30
A31
A32
A33
A34
A35
A36
A37
(A 0 - A 18 )
(2)
CONTROL
C29
C30
C31
C32
C33
C34
C35
C36
C37
(R/ W , ADV/ LD , BW x)
(2)
DATA
D/Q27
D/Q28
D/Q29
D/Q30
D/Q31
D/Q32
D/Q33
D/Q34
D/Q35
I/O [0:31] , I/O P [1:4]
5313drw 03
NOTES:
1. This assumes CEN , CE 1 , CE 2 , CE 2 are all true.
2. All Address, Control and Data_In are only required to meet set-up and hold time with respect to the rising edge of clock. Data_Out is valid after a clock-to-data delay
from the rising edge of clock.
8
6.42
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PDF描述 |
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| 356-030-526-101 | CARDEDGE 30POS .156 BLACK |
| IDT71T75602S133PFI | IC SRAM 18MBIT 133MHZ 100TQFP |
| RGZ-0515D | CONV DC/DC 2W 05VIN +/-15VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IDT71T75602S150BGGI | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 150MHZ 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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