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参数资料
| 型号： | IDT71V3556SA100BQ8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 100MHZ 165FBGA |
| 标准包装： | 2,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 100MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 165-TBGA |
| 供应商设备封装： | 165-CABGA（13x15） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V3556SA100BQ8 |
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IDT71V3556, IDT71V3558, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
ZBT ? Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs
Functional Block Diagram
Recommended DC Operating
Conditions
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Symbol
V DD
V DDQ
V SS
V IH
Parameter
Core Supply Voltage
I/O Supply Voltage
Supply Voltage
Input High Voltage - Inputs
Min.
3.135
3.135
0
2.0
Typ.
3.3
3.3
0
____
Max.
3.465
3.465
0
V DD +0.3
Unit
V
V
V
V
V IH
Input High Voltage - I/O
2.0
____
V DDQ +0.3
(2)
V
V IL
Input Low Voltage
-0.3
(1)
____
0.8
V
NOTES:
5281 tbl 04
1. V IL (min.) = –1.0V for pulse width less than t CYC /2, once per cycle.
2. V IH (max.) = +6.0V for pulse width less than t CYC /2, once per cycle.
6.42
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