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参数资料
| 型号： | IDT71V416S10BEG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA |
| 标准包装： | 250 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 4M (256K x 16) |
| 速度： | 10ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 48-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-CABGA（9x9） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V416S10BEG 800-2323 IDT71V416S10BEG-ND |
IDT71V416S, IDT71V416L, 3.3V CMOS Static RAM
4 Meg (256K x 16-Bit)
Pin Configurations - SOJ/TSOP
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configurations - 48 BGA
A0
1
44
A17
1
2
3
4
5
6
A1
A2
A3
A4
CS
I/O 0
I/O 1
I/O 2
2
3
4
5
6
7
8
9
43
42
41
40
39
38
37
36
A16
A15
OE
BHE
BLE
I/O 15
I/O 14
I/O 13
A
B
C
D
BLE
I/O 0
I/O 1
V SS
OE
BHE
I/O 2
I/O 3
A 0
A 3
A 5
A 17
A 1
A 4
A 6
A 7
A 2
CS
I/O 10
I/O 11
NC
I/O 8
I/O 9
V DD
I/O 3
V DD
V SS
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
WE
10
11
12
13
14
15
16
17
SO44-1
SO44-2
35
34
33
32
31
30
29
28
I/O 12
V SS
V DD
I/O 11
I/O 10
I/O 9
I/O 8
NC*
E
F
G
H
V DD
I/O 6
I/O 7
NC
I/O 4
I/O 5
NC
A 8
NC
A 14
A 12
A 9
A 16
A 15
A 13
A 10
I/O 12
I/O 13
WE
A 11
V SS
I/O 14
I/O 15
NC
A5
A6
A7
A8
A9
18
19
20
21
22
27
26
25
24
23
A14
A13
A12
A11
A10
3624 tbl 11
3624 drw 02
*Pin 28 can either be a NC or connected to Vss
Top View
Pin Descriptions
SOJ Capacitance
(T A = +25°C, f = 1.0MHz)
A 0 - A 17
CS
WE
Address Inputs
Chip Select
Write Enable
Input
Input
Input
Symbol
C IN
C I/O
Parameter (1)
Input Capacitance
I/O Capacitance
Conditions
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
Max.
7
8
Unit
pF
pF
OE
Output Enable
Input
3624 tbl 02
BHE
BLE
I/O 0 - I/O 15
V DD
High Byte Enable
Low Byte Enable
Data Input/Output
3.3V Power
Input
Input
I/O
Pwr
48 BGA Capacitance
(T A = +25°C, f = 1.0MHz)
Symbol Parameter (1)
Conditions
Max.
Unit
V SS
Ground
Gnd
3624 tbl 01
C IN
C I/O
Input Capacitance
I/O Capacitance
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
6
7
pF
pF
NOTE:
3624 tbl 02b
1. This parameter is guaranteed by device characterization, but not production
tested.
6.42
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