参数资料
型号: IDT71V416S10BEG
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 9/9页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA
标准包装: 250
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 异步
存储容量: 4M (256K x 16)
速度: 10ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 48-TFBGA
供应商设备封装: 48-CABGA(9x9)
包装: 托盘
其它名称: 71V416S10BEG
800-2323
IDT71V416S10BEG-ND
IDT71V416S, IDT71V416L, 3.3V CMOS Static RAM
4 Meg (256K x 16-Bit)
Datasheet Document History
Commercial and Industrial Temperature Ranges
08/5/99
Pg 6
Updated to new format
Revised footnote for t CW on Write Cycle No. 1 diagram
08/31/99
03/24/00
Pg. 1–9
Pg. 9
Pg. 6
Added Industrial temperature range offering
Added Datasheet Document History
Changed note to Write cycle No. 1 according to footnotes
08/10/00
Pg. 1
Add 48 ball grid array package offering
Correct TTL to LVTTL
09/11/ 02
11/26/02
07/31/03
10/13/03
01/30/04
02/01/13:
Pg. 2
Pg. 8
Pg. 8
Pg. 8
Pg. 8
Pg. 1
Pg. 8
Updated TBD information for the 48 BGA Capacitance table
Added "Die Revision" to ordering information
Updated note, L10 speed grade commercial temperature only and updated die stepping from YF to Y.
Updated ordering information. Refer to 71V416YS and 71V416YL datasheet for latest generation die
step.
Added "Restricted hazardous substance device" to ordering information
Removed IDT reference to fabrication
Removed die revision information from the Ordering Information
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www.idt.com
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
9
6.42
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