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参数资料
| 型号： | IDT71V416S10BEG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA |
| 标准包装： | 250 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 4M (256K x 16) |
| 速度： | 10ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 48-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-CABGA（9x9） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V416S10BEG 800-2323 IDT71V416S10BEG-ND |
IDT71V416S, IDT71V416L, 3.3V CMOS Static RAM
4 Meg (256K x 16-Bit)
Ordering Information
Commercial and Industrial Temperature Ranges
71V416
Device
X
Power
XX
Speed
XXX
Package
X
X
Process/
X
Type
Temperature
Range
Blank
8
Blank
I
G
Y
PH
BE
10*
12
15
S
L
Tube or Tray
Tape and Reel
Commercial (0°C to +70°C)
Industrial (-40°C to +85°C)
Green
44-pin, 400-mil SOJ (SO44-1)
44-pin TSOP Type II (SO44-2)
48 Ball Grid Array
Speed in nanoseconds
Standard Power
Low Power
* Commercial only for low power 10ns (L10) speed grade.
3624 drw 11a
8
6.42
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