- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20160 > IDT71V432S6PF (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 1MBIT 6NS 100TQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71V432S6PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1MBIT 6NS 100TQFP |
| 标准包装： | 72 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 1M（32K x 32） |
| 速度： | 6ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.63 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V432S6PF |
IDT71V432, 32K x 32 CacheRAM
3.3V Synchronous SRAM with Burst Counter, Single Cycle Deselect
Synchronous Write Function Truth Table (1)
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Write Byte 1
Write Byte 2
Write Byte 3
Operation
Read
Read
Write all Bytes
Write all Bytes
(2)
(2)
(2)
Write Byte 4 (2)
GW
H
H
L
H
H
H
H
H
BWE
H
L
X
L
L
L
L
L
BW 1
X
H
X
L
L
H
H
H
BW 2
X
H
X
L
H
L
H
H
BW 3
X
H
X
L
H
H
L
H
BW 4
X
H
X
L
H
H
H
L
NOTES:
1. L = V IL , H = V IH , X = Don’t Care.
2. Multiple bytes may be selected during the same cycle.
Asynchronous Truth Table (1)
3104 tbl 08
Operation (2)
Read
Read
Write
Deselected
Sleep
OE
L
H
X
X
X
ZZ
L
L
L
L
H
I/O Status
Data Out (I/O 0 - I/O 31 )
High-Z
High-Z — Data In (I/O 0 - I/O 31 )
High-Z
High-Z
Power
Active
Active
Active
Standby
Sleep
NOTES:
1. L = V IL , H = V IH , X = Don’t Care.
2. Synchronous function pins must be biased appropriately to satisfy operation requirements.
Interleaved Burst Sequence Table ( LBO =V DD )
3104 tbl 09
Sequence 1
Sequence 2
Sequence 3
Sequence 4
A1
A0
A1
A0
A1
A0
A1
A0
Fourth Address
First Address
Second Address
Third Address
(1)
0
0
1
1
0
1
0
1
0
0
1
1
1
0
1
0
1
1
0
0
0
1
0
1
1
1
0
0
1
0
1
0
NOTE:
1. Upon completion of the Burst sequence the counter wraps around to its initial state.
Linear Burst Sequence Table ( LBO =V SS )
3104 tbl 10
Sequence 1
Sequence 2
Sequence 3
Sequence 4
A1
A0
A1
A0
A1
A0
A1
A0
Fourth Address
First Address
Second Address
Third Address
(1)
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
1
0
1
0
1
0
1
1
0
0
0
1
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
NOTE:
1. Upon completion of the Burst sequence the counter wraps around to its initial state.
7
6.42
3104 tbl 11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RY-1512D/P | CONV DC/DC 1W 15VIN +/-12VOUT |
| IDT71V432S5PF8 | IC SRAM 1MBIT 5NS 100TQFP |
| CDRH8D38NP-680NC | INDUCTOR 68UH 1.08A SHIELD SMD |
| VI-222-CX-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 15V 75W |
| T95R127K020CSAL | CAP TANT 120UF 20V 10% 2824 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V432S6PF8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 6NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V432S6PFG | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 6NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71V432S6PFG8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 6NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71V432S6PFGI | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 1MBIT 6NS 100TQFP |
| IDT71V432S6PFGI8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 1MBIT 6NS 100TQFP |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。