- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20160 > IDT71V432S6PF (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 1MBIT 6NS 100TQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71V432S6PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1MBIT 6NS 100TQFP |
| 标准包装： | 72 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 1M（32K x 32） |
| 速度： | 6ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.63 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V432S6PF |
IDT71V432, 32K x 32 CacheRAM
3.3V Synchronous SRAM with Burst Counter, Single Cycle Deselect
Commercial and Industrial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating Temperature and
Supply Voltage Range (V DD = 3.3V +10/-5%, Commercial and Industrial Temperature Ranges)
Symbol
|I LI |
Parameter
Input Leakage Current
Test Conditions
V DD = Max., V IN = 0V to V DD
Min.
—
Max.
5
Unit
μA
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
ZZ and LBO Input Leakage Current
Output Leakage Current
Output Low Voltage (I/O 1 –I/O 31 )
Output High Voltage (I/O 1 –I/O 31 )
(1)
V DD = Max., V IN = 0V to V DD
CE > V IH or OE > V IH , V OUT = 0V to V DD , V DD = Max.
I OL = 5mA, V DD = Min.
I OH = –5mA, V DD = Min.
—
—
—
2.4
30
5
0.4
—
μA
μA
V
V
NOTE:
3104 tbl 12
1. The LBO pin will be internally pulled to V DD if it is not actively driven in the application and the ZZ pin will be internally pulled to V SS if not actively driven.
DC Electrical Characteristics Over the Operating Temperature and
Supply Voltage Range (1) (V DD = 3.3V +10/-5%, V HD = V DD –0.2V, V LD = 0.2V)
IDT71V432S5
IDT71V432S6
IDT71V432S7
Symbol
I DD
I SB
I SB1
Parameter
Operating Power Supply Current
Standby Power Supply Current
Full Standby Power Supply Current
Test Conditions
Device Selected, Outputs Open, V DD = Max.,
V IN > V IH or < V IL , f = f MAX (2)
Device Deselected, Outputs Open, V DD = Max.,
V IN > V IH or < V IL , f = f MAX (2)
Device Deselected, Outputs Open, V DD = Max.,
V IN > V HD or < V LD , f = 0 (2)
Com'l.
200
65
15
Ind.
200
65
15
Com'l.
180
60
15
Ind.
180
60
15
Com'l.
160
55
15
Ind.
160
55
15
Unit
mA
mA
mA
I ZZ
Full Sleep Mode Power Supply Current ZZ > V HD , V DD = Max.
10
10
10
10
10
10
mA
NOTES:
1. All values are maximum guaranteed values.
2. At f = f MAX, inputs are cycling at the maximum frequency of read cycles of 1/t CYC while ADSC = LOW; f=0 means no input lines are changing.
3104 tbl 13
AC Test Loads
+3.3V
+1.5V
50 ?
I/O
317 ?
I/O
Z 0 = 50 ?
351 ?
5pF*
3104 drw 03
Figure 1. AC Test Load
6
5
4
* Including scope and jig capacitance.
Figure 2. AC Test Load
(for t OHZ , t CHZ , t OLZ , and t DC1)
3104 drw 04
? t CD
(Typical, ns)
3
2
AC Test Conditions
Input Pulse Levels
0 to 3.0V
1
Input Rise/Fall Times
2ns
20 30 50
80 100
Capacitance (pF)
200
Input Timing Reference Levels
1.5V
3104 drw 05
Figure 3. Lumped Capacitive Load, Typical Derating
Output Timing Reference Levels
AC Test Load
1.5V
See Figures 1 and 2
3104 tbl 14
8
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RY-1512D/P | CONV DC/DC 1W 15VIN +/-12VOUT |
| IDT71V432S5PF8 | IC SRAM 1MBIT 5NS 100TQFP |
| CDRH8D38NP-680NC | INDUCTOR 68UH 1.08A SHIELD SMD |
| VI-222-CX-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 15V 75W |
| T95R127K020CSAL | CAP TANT 120UF 20V 10% 2824 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V432S6PF8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 6NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V432S6PFG | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 6NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71V432S6PFG8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 6NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71V432S6PFGI | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 1MBIT 6NS 100TQFP |
| IDT71V432S6PFGI8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 1MBIT 6NS 100TQFP |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。