- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4180 > IDT71V546S133PFG8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71V546S133PFG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 12/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V546S133PFG8 |
IDT71V546, 128K x 36, 3.3V Synchronous SRAM with
ZBT ? Feature, Burst Counter and Pipelined Outputs
Read Operation With Chip Enable Used (1)
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Cycle
n
n+1
n+2
n+3
n+4
n+5
n+6
n+7
n+8
n+9
Address
X
X
A0
X
A1
X
X
A2
X
X
R/ W
X
X
H
X
H
X
X
H
X
X
ADV/ LD
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
CE (1)
H
H
L
H
L
H
H
L
H
H
CEN
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
BW x
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
OE
X
X
X
X
L
X
L
X
X
L
I/O
?
?
Z
Z
Q0
Z
Q1
Z
Z
Q2
Comments
Deselected
Deselected
Address and Control meet setup
Deselected or STOP
Address A0 read out. Load A1
Deselected or STOP
Address A1 Read out. Deselected
Address and Control meet setup
Deselected or STOP
Address A2 read out. Deselected
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Don’t Care; ? = Don’t Know; Z = High Impedance.
2. CE = L is defined as CE 1 = L, CE 2 = L and CE2 = H. CE = H is defined as CE 1 = H, CE 2 = H or CE 2 = L.
3. Device Outputs are ensured to be in High-Z after the first rising edge of clock upon power-up.
Write Operation With Chip Enable Used (1)
3821 tbl 18
Cycle
n
n+1
n+2
n+3
n+4
n+5
n+6
n+7
n+8
n+9
Address
X
X
A0
X
A1
X
X
A2
X
X
R/ W
X
X
L
X
L
X
X
L
X
X
ADV/ LD
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
CE (1)
H
H
L
H
L
H
H
L
H
H
CEN
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
BW x
X
X
L
X
L
X
X
L
X
X
OE
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
I/O
?
?
Z
Z
D0
Z
D1
Z
Z
D2
Comments
Deselected
Deselected
Address and Control meet setup
Deselected or STOP
Address D0 Write In. Load A1
Deselected or STOP
Address D1 Write In. Deselected
Address and Control meet setup
Deselected or STOP
Address D2 Write In. Deselected
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Don’t Care; ? = Don’t Know; Z = High Impedance.
2. CE = L is defined as CE 1 = L, CE 2 = L and CE 2 = H. CE = H is defined as CE 1 = H, CE 2 = H or CE 2 = L.
12
3821 tbl 19
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HSC65DRYN | CONN EDGECARD 130PS DIP .100 SLD |
| HSC65DRYH | CONN EDGECARD 130PS DIP .100 SLD |
| IDT71V546S100PFG8 | IC SRAM 4MBIT 100MHZ 100TQFP |
| ACB64DHAS | CONN EDGECARD 128PS R/A .050 DIP |
| EMC65DRAS-S734 | CONN EDGECARD 130PS .100 R/A PCB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V546S133PFGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V546S133PFGI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V546S133PFI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V546S133PFI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V546XS100PFG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。