- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4180 > IDT71V546S133PFG8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71V546S133PFG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V546S133PFG8 |
IDT71V546, 128K x 36, 3.3V Synchronous SRAM with
ZBT ? Feature, Burst Counter and Pipelined Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration — 128K X 36
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
I/O P3
1
80
I/O P2
I/O 16
I/O 17
V DD
V SS
I/O 18
I/O 19
I/O 20
I/O 21
V SS
V DD
I/O 22
I/O 23
V DD (1)
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
I/O 15
I/O 14
V DD
V SS
I/O 13
I/O 12
I/O 11
I/O 10
V SS
V DD
I/O 9
I/O 8
V SS
.
V DD
V DD
V SS
I/O 24
I/O 25
V DD
V SS
I/O 26
I/O 27
I/O 28
I/O 29
V SS
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
PK100-1
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
V DD
V DD
V SS
I/O 7
I/O 6
V DD
V SS
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
V SS
V DD
I/O 30
I/O 31
I/O P4
27
28
29
30
54
53
52
51
V DD
I/O 1
I/O 0
I/O P1
.
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
3821 drw 02
100 T QFP
T op V iew
NOTES:
1. Pin 14 does not have to be connected directly to V DD as long as the input voltage is > V IH .
2. Pins 83 and 84 are reserved for future A 17 (8M) and A 18 (16M) respectively.
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HSC65DRYN | CONN EDGECARD 130PS DIP .100 SLD |
| HSC65DRYH | CONN EDGECARD 130PS DIP .100 SLD |
| IDT71V546S100PFG8 | IC SRAM 4MBIT 100MHZ 100TQFP |
| ACB64DHAS | CONN EDGECARD 128PS R/A .050 DIP |
| EMC65DRAS-S734 | CONN EDGECARD 130PS .100 R/A PCB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V546S133PFGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V546S133PFGI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V546S133PFI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V546S133PFI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V546XS100PFG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。