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参数资料
| 型号： | IDT71V67602S133BQG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165FBGA |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 05/Nov/2008 |
| 标准包装： | 136 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 9M（256K x 36） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 165-TBGA |
| 供应商设备封装： | 165-CABGA（13x15） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V67602S133BQG |
IDT71V67602, IDT71V67802, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous
SRAMs with 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Absolute Maximum Ratings (1)
Symbol Rating Commercial
Unit
Recommended Operating
Temperature and Supply Voltage
V TERM
(2)
Terminal Voltage with
-0.5 to +4.6
V
Grade
Temperature (1)
V SS
V DD
V DDQ
Respect to GND
Commercial
0°C to +70°C
0V
3.3V±5%
2.5V±5%
V TERM (3,6)
Terminal Voltage with
Respect to GND
-0.5 to V DD
V
Industrial
-40°C to +85°C
0V
3.3V±5%
2.5V±5%
V TERM (4,6)
V TERM (5,6)
Terminal Voltage with
Respect to GND
Terminal Voltage with
Respect to GND
-0.5 to V DD +0.5
-0.5 to V DDQ +0.5
V
V
NOTE:
1. T A is the "instant on" case temperature.
Recommended DC Operating
Conditions
5311 tbl 04
T A (7)
T BIAS
T STG
Commercial
Industrial
Temperature
Under Bias
Storage
-0 to +70
-40 to +85
-55 to +125
-55 to +125
o
o
o
o
C
C
C
C
Symbol
V DD
V DDQ
V SS
Parameter
Core Supply Voltage
I/O Supply Voltage
Ground
Min.
3.135
2.375
0
Typ.
3.3
2.5
0
Max.
3.465
2.625
0
Unit
V
V
V
Temperature
V IH
Input High Voltage - Inputs
1.7
____
V DD +0.3
V
-0.3
P T
I OUT
Power Dissipation
DC Output Current
2.0
50
W
mA
V IH
V IL
Input High Voltage - I/O
Input Low Voltage
1.7
(1)
____
____
V DDQ +0.3
0.7
V
V
5311 tbl 03
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated
in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
2. V DD terminals only.
3. V DDQ terminals only.
4. Input terminals only.
5. I/O terminals only.
6. This is a steady-state DC parameter that applies after the power supplies have
ramped up. Power supply sequencing is not necessary; however, the voltage
on any input or I/O pin cannot exceed V DDQ during power supply ramp up.
7. T A is the "instant on" case temperature.
100-pin TQFP Capacitance
(T A = +25°C, f = 1.0MHz)
NOTE:
1. V IL (min) = -1.0V for pulse width less than t CYC/2 , once per cycle.
165 fBGA Capacitance
(T A = +25°C, f = 1.0MHz)
5311 tbl 06
Symbol
Parameter
(1)
Conditions
Max.
Unit
Symbol
Parameter (1)
Conditions
Max.
Unit
C IN
C I/O
Input Capacitance
I/O Capacitance
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
5
7
pF
pF
C IN
C I/O
Input Capacitance
I/O Capacitance
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
7
7
pF
pF
119 BGA Capacitance
(T A = +25°C, f = 1.0MHz)
5311 tbl 07
5311 tbl 07b
Symbol
C IN
C I/O
Parameter (1)
Input Capacitance
I/O Capacitance
Conditions
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
Max.
7
7
Unit
pF
pF
5311 tbl 07a
NOTE:
1. This parameter is guaranteed by device characterization, but not production tested.
6.42
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PDF描述 |
|---|---|
| GCB11DHBR | CONN EDGECARD 22POS R/A .050 SLD |
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参数描述 |
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