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参数资料
| 型号： | IDT71V67602S133BQG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 9/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165FBGA |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 05/Nov/2008 |
| 标准包装： | 136 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 9M（256K x 36） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 165-TBGA |
| 供应商设备封装： | 165-CABGA（13x15） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V67602S133BQG |
IDT71V67602, IDT71V67802, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous
Commercial and Industrial Temperature Ranges
SRAMs with 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V DD = 3.3V ± 5%)
ZZ and LBO Input Leakage Current
Symbol
|I LI |
|I LZZ |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
(1)
Test Conditions
V DD = Max., V IN = 0V to V DD
V DD = Max., V IN = 0V to V DD
V OUT = 0V to V DDQ , Device Deselected
I OL = +6mA, V DD = Min.
I OH = -6mA, V DD = Min.
Min.
___
___
___
___
2.0
Max.
5
30
5
0.4
___
Unit
μA
μA
μA
V
V
NOTE:
5311 tbl 08
1. The LBO pin will be internally pulled to V DD if it is not actively driven in the application and the ZZ pin will be internally pulled to V SS if not actively driven.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (1)
Symbol
Parameter
Test Conditions
166MHz
150MHz
133MHz
Unit
Com'l Only
Com'l
Ind
Com'l
Ind
I DD
I SB1
I SB2
I ZZ
Operating Power Supply Current
CMOS Standby Power Supply
Current
Clock Running Power
Supply Current
Full Sleep Mode Supply Current
Device Selected, Outputs Open, V DD = Max.,
V DDQ = Max., V IN > V IH or < V IL , f = f MAX (2)
Device Deselected, Outputs Open, V DD = Max.,
V DDQ = Max., V IN > V HD or < V LD , f = 0 (2,3)
Device Deselected, Outputs Open, V DD = Max.,
V DDQ = Max., V IN > V HD or < V LD , f = f MAX (2,3)
ZZ > V HD, V DD = Max.
340
50
160
50
305
50
155
50
325
70
175
70
260
50
150
50
280
70
170
70
mA
mA
mA
mA
NOTES:
1. All values are maximum guaranteed values.
2. At f = f MAX, inputs are cycling at the maximum frequency of read cycles of 1/t CYC while ADSC = LOW; f=0 means no input lines are changing.
3. For I/Os V HD = V DDQ - 0.2V, V LD = 0.2V. For other inputs V HD = V DD - 0.2V, V LD = 0.2V.
5311 tbl 09
AC Test Conditions
(V DDQ = 2.5V)
AC Test Load
V DDQ /2
50 ?
Input Pulse Levels
0 to 2.5V
I/O
Z 0 = 50 ?
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Timing Reference Levels
AC Test Load
2ns
V DDQ /2
V DDQ /2
See Figure 1
5311 tbl 10
6
5
4
5311 drw 06
Figure 1. AC Test Load
,
? t CD
3
(Typical, ns)
2
1
20 30 50
80 100
Capacitance (pF)
200
5311 drw 07
,
Figure 2. Lumped Capacitive Load, Typical Derating
9
6.42
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PDF描述 |
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| GCB11DHBR | CONN EDGECARD 22POS R/A .050 SLD |
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| IDT71V67602S133BQ8 | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165FBGA |
| GBB11DHBR | CONN EDGECARD 22POS R/A .050 SLD |
| PSAA60M-480-R-CN1 | ADAPTER DESKTOP CLASS I 60W 48V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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