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参数资料
| 型号： | IDT82V2604BBG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 21/97页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INVERSE MUX 4CH ATM 208-BGA |
| 标准包装： | 1 |
| 应用： | 无线 |
| 接口： | Utopia |
| 电源电压： | 2.97 V ~ 3.63 V |
| 封装/外壳： | 208-BGA |
| 供应商设备封装： | 208-PBGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 其它名称： | 82V2604BBG |
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INTERFACE
28
December 4, 2006
IDT82V2604
Inverse Multiplexing for ATM
3.4
SRAM INTERFACE
The SRAM interface has an 8-bit wide data bus, EMD[7:0], and a 19-
bit wide address bus, EMA[18:0]. The minimum throughput is 4 Mbyte/s
and the minimum access time is 40ns.
When both EM_WE pin and EM_CS pin are low, data can be written to the
external SRAM. When both EM_OE pin and EM_CS pin are low, data can be
read from the external SRAM.
The size of the SRAM can be selected from 2K byte to 512 Kbyte.
When the minimum 2K byte memory is selected, only 11 address pins
will be used. Different memory size will affect different delay compensa-
delay tolerance in T1 and E1 unchannelized modes respectively.
Table-14 Maximum Delay Tolerance Value for Different SRAM Size in T1 Unchannelized Mode
SRAM Used
(Kbyte)
Maximum Delay Tolerance
(ms)
Address Bus Used
512
281
EMA[18:0]
256
141
EMA[17:0]
128
70
EMA[16:0]
64
35
EMA[15:0]
32
17.58
EMA[14:0]
16
8.79
EMA[13:0]
8
4.39
EMA[12:0]
4
2.20
EMA[11:0]
2
1.10
EMA[10:0]
Table-15 Maximum Delay Tolerance Value for Different SRAM Size in E1 Unchannelized Mode
SRAM Used
(Kbyte)
Maximum Delay Tolerance
(ms)
Address Bus Used
512
212
EMA[18:0]
256
106
EMA[17:0]
128
53
EMA[16:0]
64
26.5
EMA[15:0]
32
13.25
EMA[14:0]
16
6.625
EMA[13:0]
8
3.31
EMA[12:0]
4
1.66
EMA[11:0]
2
0.83
EMA[10:0]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT82V2608BBG | IC INVERSE MUX 8CH ATM 208-BGA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT82V2608 | 制造商:IDT 制造商全称:Integrated Device Technology 功能描述:INVERSE MULTIPLEXING FOR ATM |
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| IDT82V2616 | 制造商:IDT 制造商全称:Integrated Device Technology 功能描述:INVERSE MULTIPLEXING FOR ATM |
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