收藏本站
参数资料
型号： ILD66
厂商： SIEMENS AG
英文描述： PHOTODARLINGTON OPTOCOUPLER
中文描述： PHOTODARLINGTON光耦合器
文件页数： 1/3页
文件大小： 74K
代理商： ILD66
5–1
FEATURES
Internal RBE for High Stability
Current Transfer Ratio is Tested
at 2.0 mA and 0.7 mA Input
IL/ILD/ILQ66 Series:
- 1, 100% min. at
- 2, 300% min. at
- 3, 400% min. at
- 4, 500% min. at
Four Available CTR Categories per Package
Type
BV
CEO
>60 V
Standard DIP Packages
Underwriters Lab File #E52744
VDE 0884 Available with Option 1
DESCRIPTION
I
I
I
I
F
F
F
F
=2
=2
=0.7
=2
mA, V
mA, V
mA, V
mA, V
CE
CE
=10 V
=10 V
=10 V
=5 V
CE
CE
IL66, ILD66, and ILQ66 are optically coupled isola-
tors employing Gallium Arsenide infrared emitters
and silicon photodarlington detectors. Switching
can be accomplished while maintaining a high
degree of isolation between driving and load cir-
cuits, with no crosstalk between channels.
Maximum Ratings
Emitter
(Each Channel)
Peak Reverse Voltage........................................ 6 V
Continuous Forward Current.........................60 mA
Power Dissipation at 25
°
C ......................... 100 mW
Derate Linearly from 25
°
C ................... 1.33 mW/
Detector
(Each Channel)
Power Dissipation at 25
°
C Ambient........... 150 mW
Derate Linearly from 25
°
C ..................... 2.0 mW/
Package
Isolation Test Voltage
(t=1 sec.)........................................5300 VAC
Total Package Power Dissipation at 25
IL66.......................................................... 250 mW
ILD66 ....................................................... 400 mW
ILQ66....................................................... 500 mW
Derate Linearly from 25
°
C
IL66...................................................... 3.3 mW/
ILD66 ................................................. 5.33 mW/
ILQ66................................................. 6.67 mW/
Creepage.................................................7 min mm
Clearance ................................................7 min mm
Comparative Tracking Index..............................175
Isolation Resistance
V
IO
=500 V, T
A
=25
°
C................................
V
IO
=500 V, T
A
=100
°
C..............................
Storage Temperature................... –55
Operating Temperature................ –55
Lead Soldering Time at 260
°
C
°
C
RMS
°
C
°
°
°
C
C
C
≥
≥
10
10
12
11
°
°
C
C
°
°
C to +125
C to +100
°
C ....................10 sec.
V
D E
Dimensions in inches (mm)
.010 (.25)
.014 (.35)
.300 (7.62)
.347 (8.82)
.110 (2.79)
.130 (3.30)
.150 (3.81)
.020 (.051) min.
.031 (0.80)
.035 (0.90)
.100 (2.54) Typ.
.300 (7.62)
Typ.
(.min.
.018 (0.45)
.022 (0.55)
.335 (8.50)
.343 (8.70)
6
5
4
1
2
3
°
18
°
t4
.255 (6.48)
.268 (6.81)
3
4
6
5
.379 (9.63)
.390 (9.91)
.030 (.76)
.045 (1.14)
4
°
Typ.
.100 (2.54) Typ.
10
°
Typ.
3
°
–9
°
.305
T
yp.
(7.75)
T
yp.
.018 (.46)
.022 (.56)
.008 (.20)
.012 (.30)
.115 (2.92)
.135 (3.43)
1
2
8
7
.130 (3.30)
.150 (3.81)
.030 (.76 )
.040 (1.02)
1
2
3
6
5
4
Anode
Cathode
NC
Base
Collector
Emitter
Anode
Cathode
Cathode
Anode
Emitter
Collector
Collector
Emitter
1
2
3
4
8
7
6
5
Anode
Cathode
Cathode
Anode
Emitter
Collector
Collector
Emitter
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
Emitter
Collector
Collector
Emitter
Anode
Cathode
Cathode
Anode
.248 (6.30)
.256 (6.50)
.255 (6.48)
.268 (6.81)
.779 (19.77 )
.790 (20.07)
Pin
One
I.D.
.130 (3.30)
.150 (3.81)
.030 (.76 )
.040 (1.02)
.030 (.76)
.045 (1.14)
4
°
Typ.
.100 (2.54) Typ.
.018 (.46)
.022 (.56)
10
°
Typ.
3
°
–9
°
.305 Typ.
(7.75) Typ.
.008 (.20)
.012 (.30)
.115 (2.92)
.135 (3.43)
Pin One I.D.
Pin One I.D.
SINGLE CHANNEL
DUAL CHANNEL
QUAD CHANNEL
PHOTODARLINGTON OPTOCOUPLER
IL66 SERIES
ILD66 SERIES
ILQ 66 SERIES
相关PDF资料
PDF描述
IL66 PHOTODARLINGTON OPTOCOUPLER
ILD766 BIDIRECTIONAL INPUT DARLINGTON OPTOCOUPLERS
IL766 SMT Rotary Dip
ILH100 HERMETIC PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLER
ILH200 HERMETIC PHOTOTRANSISTOR DUAL CHANNEL OPTOCOUPLER
相关代理商/技术参数
参数描述
ILD66-1 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Photodarlington Out Dual CTR >100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
ILD66-2 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Photodarlington Out Dual CTR >300% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
ILD66-2X007 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 300% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
ILD66-2X007T 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 300% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
ILD66-3 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Photodarlington Out Dual CTR >400% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*