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参数资料
| 型号： | INA-32063-TR1 |
| 英文描述： | 3.0 GHz Wideband Silicon RFIC Amplifier |
| 中文描述： | 3.0千兆赫宽带硅射频放大器 |
| 文件页数： | 11/11页 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | INA-32063-TR1 |
www.semiconductor.agilent.com
Data subject to change.
Copyright 1999 Agilent Technologies
Obsoletes 5965-8921E
5967-5769E (11/99)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| INA-32063-TR2 | 3.0 GHz Wideband Silicon RFIC Amplifier |
| INA270 | Voltage Output, Unidirectional Measurement Current-Shunt Monitor |
| INA270AID | Voltage Output, Unidirectional Measurement Current-Shunt Monitor |
| INA270AIDR | Voltage Output, Unidirectional Measurement Current-Shunt Monitor |
| INA271 | Voltage Output, Unidirectional Measurement Current-Shunt Monitor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| INA-32063-TR2 | 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:3.0 GHz Wideband Silicon RFIC Amplifier |
| INA321 | 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:microPower, Single-Supply, CMOS Instrumentation Amplifier |
| INA321E | 制造商:Texas Instruments 功能描述:AMP INSTRUMENTATION VSSOP8 321 |
| INA321E/250 | 功能描述:仪表放大器 Micropwr Single-sply CMOS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量: 输入补偿电压:150 V 可用增益调整: 最大输入电阻:10 kOhms 共模抑制比（最小值）:88 dB 工作电源电压:2.7 V to 36 V 电源电流:200 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:MSOP-8 封装:Bulk |
| INA321E/250G4 | 功能描述:仪表放大器 Micropwr Single-sply CMOS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量: 输入补偿电压:150 V 可用增益调整: 最大输入电阻:10 kOhms 共模抑制比（最小值）:88 dB 工作电源电压:2.7 V to 36 V 电源电流:200 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:MSOP-8 封装:Bulk |
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