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参数资料
| 型号： | IPB048N06LG |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢功率晶体管 |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 440K |
| 代理商： | IPB048N06LG |
IPP048N06L G IPB048N06L G
1 Power dissipation
2 Drain current
P
tot
=f(
T
C
);
V
GS
≥
6 V
I
D
=f(
T
C
);
V
GS
≥
10 V
3 Safe operating area
4 Max. transient thermal impedance
I
D
=f(
V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
Z
thJC
=f(
t
p
)
parameter:
t
p
parameter:
D
=
t
p
/
T
1 μs
10 μs
100 μs
1 ms
10 ms
DC
10
2
10
1
10
0
10
-1
10
2
10
1
10
0
10
-1
V
DS
[V]
I
D
limited by on-state
resistance
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
10
-6
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
t
p
[s]
Z
t
0
50
100
150
200
250
300
350
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
P
t
0
20
40
60
80
100
120
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
I
D
Rev. 1.11
page 4
2006-04-20
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPB04N03LAG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB04N03LA | Circular Connector; No. of Contacts:10; Series:; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:12; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Box Mount Receptacle; Insert Arrangement:12-10 |
| IPB04N03LB | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB050N06L | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB050N06LG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPB048N06LGATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 |
| IPB049N06L3 G | 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPB049N06L3G | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| IPB049N06L3GATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 |
| IPB049N06L3GXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 |
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