参数资料
型号: IPB048N06LG
厂商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述: 的OptiMOS㈢功率晶体管
文件页数: 5/10页
文件大小: 440K
代理商: IPB048N06LG
IPP048N06L G IPB048N06L G
5 Typ. output characteristics
6 Typ. drain-source on resistance
I
D
=f(
V
DS
);
T
j
=25 °C
R
DS(on)
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
V
GS
parameter:
V
GS
7 Typ. transfer characteristics
8 Typ. forward transconductance
I
D
=f(
V
GS
); |
V
DS
|>2|
I
D
|
R
DS(on)max
g
fs
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
T
j
3.5 V
4 V
4.5 V
5 V
5.5 V
6 V
10 V
0
2
4
6
8
10
0
40
80
120
160
200
I
D
[A]
R
D
]
25 °C
175 °C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0
1
2
3
4
V
GS
[V]
I
D
0
40
80
120
160
200
240
0
40
80
120
160
200
I
D
[A]
g
f
3 V
3.5 V
4 V
5.5 V
5V
4.5 V
10V
0
40
80
120
160
200
240
0
1
2
3
V
DS
[V]
I
D
Rev. 1.11
page 5
2006-04-20
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PDF描述
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IPB04N03LB OptiMOS㈢2 Power-Transistor
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