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参数资料
型号： IPB048N06LG
厂商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶体管
文件页数： 7/10页
文件大小： 440K
代理商： IPB048N06LG
IPP048N06L G IPB048N06L G
13 Avalanche characteristics
14 Typ. gate charge
I
AS
=f(
t
AV
);
R
GS
=25
V
GS
=f(
Q
gate
);
I
D
=100 A pulsed
parameter:
T
j(start)
parameter:
V
DD
15 Drain-source breakdown voltage
16 Gate charge waveforms
V
BR(DSS)
=f(
T
j
);
I
D
=1 mA
12V
30 V
48 V
0
2
4
6
8
10
12
0
40
80
Q
gate
[nC]
120
160
200
V
G
50
55
60
65
70
75
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
B
V
GS
Q
gate
V
gs(th)
Q
g(th)
Q
gs
Q
gd
Q
sw
Q
g
25 °C
100 °C
150 °C
10
3
10
2
10
1
10
0
10
3
10
2
10
1
10
0
t
AV
[μs]
I
A
Rev. 1.11
page 7
2006-04-20
相关PDF资料
PDF描述
IPB04N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB04N03LA Circular Connector; No. of Contacts:10; Series:; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:12; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Box Mount Receptacle; Insert Arrangement:12-10
IPB04N03LB OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB050N06L OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB050N06LG OptiMOS㈢ Power-Transistor
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参数描述
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