- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录383112 > IPB26CN10NG (INFINEON TECHNOLOGIES AG) OptiMOS㈢2 Power-Transistor PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IPB26CN10NG |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢2功率晶体管 |
| 文件页数： | 11/13页 |
| 文件大小： | 710K |
| 代理商： | IPB26CN10NG |
IPB26CN10N G IPD25CN10N G
IPI26CN10N G IPP26CN10N G IPU25CN10N G
PG-TO252-3: Outline
Rev. 1.01
page 11
2006-06-02
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPD25CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPI26CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB26CNE8NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPD25CNE8NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPI26CNE8NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPB26CN10NGATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3 |
| IPB26CNE8N G | 功能描述:MOSFET N-CH 85V 35A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPB26CNE8NG | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB30 | 制造商:Omron Corporation 功能描述: |
| IPB320N20N3 G | 功能描述:MOSFET N-channel POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。