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参数资料
| 型号： | IPB26CN10NG |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢2功率晶体管 |
| 文件页数： | 7/13页 |
| 文件大小： | 710K |
| 代理商： | IPB26CN10NG |
IPB26CN10N G IPD25CN10N G
IPI26CN10N G IPP26CN10N G IPU25CN10N G
13 Avalanche characteristics
14 Typ. gate charge
I
AS
=f(
t
AV
);
R
GS
=25
V
GS
=f(
Q
gate
);
I
D
=35 A pulsed
parameter:
T
j(start)
parameter:
V
DD
15 Drain-source breakdown voltage
16 Gate charge waveforms
V
BR(DSS)
=f(
T
j
);
I
D
=1 mA
20 V
50 V
80 V
0
2
4
6
8
10
12
0
5
10
Q
gate
[nC]
15
20
25
V
G
90
95
100
105
110
115
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
B
V
GS
Q
gate
V
gs(th)
Q
g(th)
Q
gs
Q
gd
Q
sw
Q
g
25 °C
100 °C
150 °C
1
10
100
1
10
100
1000
t
AV
[μs]
I
A
Rev. 1.01
page 7
2006-06-02
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPD25CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPI26CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB26CNE8NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPD25CNE8NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPI26CNE8NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPB26CN10NGATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3 |
| IPB26CNE8N G | 功能描述:MOSFET N-CH 85V 35A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPB26CNE8NG | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB30 | 制造商:Omron Corporation 功能描述: |
| IPB320N20N3 G | 功能描述:MOSFET N-channel POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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