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参数资料
| 型号： | IPB35CN10NG |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢2功率晶体管 |
| 文件页数： | 10/13页 |
| 文件大小： | 707K |
| 代理商： | IPB35CN10NG |
IPB35CN10N G IPD33CN10N G
IPI35CN10N G IPP35CN10N G IPU33CN10N G
PG-TO-263 (D2-Pak)
Rev.1.02
page 10
2006-06-02
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPD33CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPI35CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB60R099CP | CoolMOS Power Transistor |
| IPB60R165CP | CoolMOS Power Transistor |
| IPB60R199CP | CoolMOS Power Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPB35N10S3L-26 | 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPB35N10S3L26ATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel |
| IPB45N04S4L-08 | 功能描述:MOSFET N-Channel 40V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPB45N04S4L08ATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2 |
| IPB45N06S3-16 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 45A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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