- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384485 > IPB35CN10NG (INFINEON TECHNOLOGIES AG) OptiMOS㈢2 Power-Transistor PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IPB35CN10NG |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢2功率晶体管 |
| 文件页数： | 6/13页 |
| 文件大小： | 707K |
| 代理商： | IPB35CN10NG |
IPB35CN10N G IPD33CN10N G
IPI35CN10N G IPP35CN10N G IPU33CN10N G
9 Drain-source on-state resistance
10 Typ. gate threshold voltage
R
DS(on)
=f(
T
j
);
I
D
=27 A;
V
GS
=10 V
V
GS(th)
=f(
T
j
);
V
GS
=
V
DS
parameter:
I
D
11 Typ. capacitances
12 Forward characteristics of reverse diode
C
=f(
V
DS
);
V
GS
=0 V;
f
=1 MHz
I
F
=f(
V
SD
)
parameter:
T
j
typ
98 %
0
20
40
60
80
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
R
D
[
]
29 μA
290 μA
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
G
Ciss
Coss
Crss
10
4
10
3
10
2
10
1
10
0
0
20
40
60
80
V
DS
[V]
C
25 °C
175 °C
25 °C, 98%
175 °C, 98%
10
3
10
2
10
1
10
0
0
0.5
1
1.5
2
V
SD
[V]
I
F
Rev.1.02
page 6
2006-06-02
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPD33CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPI35CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB60R099CP | CoolMOS Power Transistor |
| IPB60R165CP | CoolMOS Power Transistor |
| IPB60R199CP | CoolMOS Power Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPB35N10S3L-26 | 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPB35N10S3L26ATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel |
| IPB45N04S4L-08 | 功能描述:MOSFET N-Channel 40V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPB45N04S4L08ATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2 |
| IPB45N06S3-16 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 45A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。