参数资料
型号: IPB35CN10NG
厂商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述: 的OptiMOS㈢2功率晶体管
文件页数: 5/13页
文件大小: 707K
代理商: IPB35CN10NG
IPB35CN10N G IPD33CN10N G
IPI35CN10N G IPP35CN10N G IPU33CN10N G
5 Typ. output characteristics
6 Typ. drain-source on resistance
I
D
=f(
V
DS
);
T
j
=25 °C
R
DS(on)
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
V
GS
parameter:
V
GS
7 Typ. transfer characteristics
8 Typ. forward transconductance
I
D
=f(
V
GS
); |
V
DS
|>2|
I
D
|
R
DS(on)max
g
fs
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
T
j
4.5 V
5 V
5.5 V
6 V
8 V
10 V
0
20
40
60
80
0
20
I
D
[A]
R
D
]
25 °C
175 °C
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
V
GS
[V]
I
D
0
10
20
30
40
50
0
10
20
30
40
50
I
D
[A]
g
f
4.5 V
5 V
5.5 V
6 V
6.5 V
7 V
8 V
10 V
0
50
100
150
0
1
2
3
4
5
V
DS
[V]
I
D
Rev.1.02
page 5
2006-06-02
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PDF描述
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