参数资料
型号: IPB80N04S2-H4
厂商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述: 的OptiMOS㈢功率晶体管
文件页数: 4/8页
文件大小: 169K
代理商: IPB80N04S2-H4
IPB80N04S2-H4
IPP80N04S2-H4, IPI80N04S2-H4
1 Power dissipation
2 Drain current
P
tot
= f(
T
C
);
V
GS
6 V
I
D
= f(
T
C
);
V
GS
10 V
3 Safe operating area
4 Max. transient thermal impedance
I
D
= f(
V
DS
);
T
C
= 25 °C;
D
= 0
Z
thJC
= f(
t
p
)
parameter:
t
p
parameter:
D
=
t
p
/
T
single pulse
0.01
0.05
0.1
0.5
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
10
-6
10
-7
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
t
p
[s]
Z
t
0
50
100
150
200
250
300
350
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
P
t
0
20
40
60
80
100
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
I
D
1 μs
10 μs
100 μs
1 ms
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
V
DS
[V]
I
D
Rev. 1.0
page 4
2006-03-02
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