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参数资料
型号： IPB80N04S2-H4
厂商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶体管
文件页数： 7/8页
文件大小： 169K
代理商： IPB80N04S2-H4
IPB80N04S2-H4
IPP80N04S2-H4, IPI80N04S2-H4
13 Typical avalanche energy
14 Typ. gate charge
E
AS
= f(
T
j
)
V
GS
= f(
Q
gate
);
I
D
= 80 A pulsed
parameter:
I
D
= 80A
15 Typ. drain-source breakdown voltage
16 Gate charge waveforms
V
BR(DSS)
= f(
T
j
);
I
D
= 1 mA
0
100
200
300
400
500
600
700
25
75
125
175
T
j
[°C]
E
A
V
GS
Q
gate
Q
gs
Q
gd
Q
g
8 V
32 V
0
2
4
6
8
10
12
0
20
40
60
80
100
120
Q
gate
[nC]
V
G
36
38
40
42
44
46
48
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
B
Rev. 1.0
page 7
2006-03-02
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PDF描述
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