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参数资料
| 型号： | IPD60R385CP |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | CoolMOS Power Transistor |
| 中文描述： | 的CoolMOS功率晶体管 |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 360K |
| 代理商： | IPD60R385CP |
IPD60R385CP
1 Power dissipation
2 Safe operating area
P
tot
=f(
T
C
)
I
D
=f(
V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
parameter:
t
p
3 Max. transient thermal impedance
4 Typ. output characteristics
Z
thJC
=f(
t
P
)
I
D
=f(
V
DS
);
T
j
=25 °C
parameter:
D=t
p
/
T
parameter:
V
GS
0
20
40
60
80
100
0
40
80
120
160
T
C
[°C]
P
t
1 μs
10 μs
100 μs
1 ms
10 ms
DC
10
3
10
2
10
1
10
0
10
2
10
1
10
0
10
-1
V
DS
[V]
I
D
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
10
1
10
0
10
-1
10
-2
t
p
[s]
Z
t
4.5 V
5 V
5.5 V
6 V
7 V
8 V
10 V
20 V
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
V
DS
[V]
I
D
limited by on-state
resistance
Rev. 2.0
page 4
2006-04-04
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPD640N06LG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPD64CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPD800N06NG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IPD60R385CPT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
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