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参数资料
| 型号： | IPD60R385CP |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | CoolMOS Power Transistor |
| 中文描述： | 的CoolMOS功率晶体管 |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 360K |
| 代理商： | IPD60R385CP |
IPD60R385CP
5 Typ. output characteristics
6 Typ. drain-source on-state resistance
I
D
=f(
V
DS
);
T
j
=150 °C
R
DS(on)
=f(
I
D
);
T
j
=150 °C
parameter:
V
GS
parameter:
V
GS
7 Drain-source on-state resistance
8 Typ. transfer characteristics
R
DS(on)
=f(
T
j
);
I
D
=5.2 A;
V
GS
=10 V
I
D
=f(
V
GS
); |
V
DS
|>2|
I
D
|
R
DS(on)max
parameter:
T
j
typ
98 %
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
R
D
[
]
C °25
C °150
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
0
2
4
6
8
10
V
GS
[V]
I
D
4.5 V
5 V
5.5 V
6 V
7 V
8 V
10 V
20 V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
5
10
15
20
V
DS
[V]
I
D
5 V
5.5 V
6 V
6.5 V
7 V
20 V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
5
10
15
I
D
[A]
R
D
]
Rev. 2.0
page 5
2006-04-04
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPD640N06LG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPD64CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPD800N06NG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPDH5N03LA | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPDH5N03LAG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPD60R385CP NON DRY | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| IPD60R385CP_09 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:CoolMOS Power Transistor |
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| IPD60R385CPT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
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