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参数资料
| 型号： | IPI05CNE8NG |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢2功率晶体管 |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 473K |
| 代理商： | IPI05CNE8NG |
IPB051NE8N G IPI05CNE8N G
IPP054NE8N G
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic characteristics
Input capacitance
C
iss
-
9090
12100 pF
Output capacitance
C
oss
-
1710
2270
Reverse transfer capacitance
C
rss
-
120
180
Turn-on delay time
t
d(on)
-
28
42
ns
Rise time
t
r
-
42
61
Turn-off delay time
t
d(off)
-
64
96
Fall time
t
f
-
21
31
Gate Charge Characteristics
6)
Gate to source charge
Q
gs
-
47
62
nC
Gate to drain charge
Q
gd
-
31
46
Switching charge
Q
sw
-
50
72
Gate charge total
Q
g
-
135
180
Gate plateau voltage
V
plateau
-
5.1
-
V
Output charge
Q
oss
V
DD
=40 V,
V
GS
=0 V
-
130
173
nC
Reverse Diode
Diode continous forward current
I
S
-
-
100
A
Diode pulse current
I
S,pulse
-
-
400
Diode forward voltage
V
SD
V
GS
=0 V,
I
F
=100 A,
T
j
=25 °C
-
1.0
1.2
V
Reverse recovery time
t
rr
-
110
-
ns
Reverse recovery charge
Q
rr
-
345
-
nC
6)
See figure 16 for gate charge parameter definition
V
R
=40 V,
I
F
=
I
S
,
d
i
F
/d
t
=100 A/μs
T
C
=25 °C
Values
V
GS
=0 V,
V
DS
=40 V,
f
=1 MHz
V
DD
=40 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=50 A,
R
G
=1.6
V
DD
=40 V,
I
D
=100 A,
V
GS
=0 to 10 V
Rev. 1.04
page 3
2006-02-17
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPB05CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPI05CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB05N03LAG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB05N03LB | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB065N06LG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPI05N03LA | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IPI06CN10N G | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPI06CN10NG | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS?2 Power-Transistor |
| IPI06CN10NGXK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
| IPI06CNE8N G | 功能描述:MOSFET N-CH 85V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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