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参数资料
| 型号： | IPI05CNE8NG |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢2功率晶体管 |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 473K |
| 代理商： | IPI05CNE8NG |
IPB051NE8N G IPI05CNE8N G
IPP054NE8N G
Rev. 1.04
page 9
2006-02-17
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPB05CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPI05N03LA | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IPI06CN10N G | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPI06CN10NG | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS?2 Power-Transistor |
| IPI06CN10NGXK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
| IPI06CNE8N G | 功能描述:MOSFET N-CH 85V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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