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参数资料
| 型号： | IPS021S |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH |
| 中文描述： | 充分保护功率MOSFET开关 |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 142K |
| 代理商： | IPS021S |
IPS021(S)
8
www.irf.com
Figure 15b - Max. Iclamp (A) Vs Inductive Load
(mH) IPS021S
0.1
1
10
0 .0 1
0 .1
1
1 0
1 0 0
single pulse
100 Hz rth=60
°
C/W dT=25
°
C
1kHz rth=60
°
C/W dT=25
°
C
Vbat = 14 V
Tjini = T sd
Figure 14 - Ids (A) Vs Protection Resp. Time (s)
IPS021 & IPS021S
1
10
100
T=25
°
C Std. footprint
T=100
°
C Std. footprint
Current path capability
should be above this curve
Load characteristic should
be below this curve
Figure 15a - Iclamp (A) Vs Inductive Load (mH)
IPS021
Figure 13 - Max.Cont. Ids (A)
Vs Amb. Temperature (
o
C) IPS021/IPS021S
0.1
1
10
0 .0 1
0 .1
1
1 0
1 0 0
single pulse max. current
100 Hz rth=60
°
C/W dT=25
°
C
1kHz rth=60
°
C/W dT=25
°
C
Vbat = 14 V
Tjini = T sd
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-50
0
50
100
150
200
rth = 5
°
C/W
rth = 15
°
C/W
1" footprint 35
°
C/W
std. footprint 60
°
C/W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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